[发明专利]基于三极管自激式振荡电路的铝电解用智能打壳控制系统

权利要求书

1.基于三极管自激式振荡电路的铝电解用智能打壳控制系统，主要由气缸控制模块，微处理器，与微处理器相连接的电源模块、信号处理模块、打壳信号输出模块和反馈信号处理模块，与信号处理模块相连接的槽控机信号输入接口，以及与反馈信号处理模块相连接的传感器组组成；其特征在于，在打壳信号输出模块与气缸控制模块之间串接有三极管自激振荡模块；所述三极管自激振荡模块由振荡电路，与振荡电路相连接的补偿电路组成。

2.根据权利要求1所述的基于三极管自激式振荡电路的铝电解用智能打壳控制系统，其特征在于，所述振荡电路由三极管VT3，三极管VT4，单向晶闸管D7，P极经电阻R10后与三极管VT4的基极相连接、N极则经电阻R8后与三极管VT4的发射极相连接的二极管D5，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端则与三极管VT4的发射极相连接的电阻R9，正极与三极管VT3的发射极相连接、负极则与三极管VT4的基极相连接的电容C4，正极与三极管VT3的基极相连接、负极则与补偿电路相连接的电容C5，一端与三极管VT3的基极相连接、另一端则与三极管VT4的发射极相连接的电阻R13，N极与三极管VT3的集电极相连接、P极则与二极管D5的N极共同形成该三极管自激振荡模块的输入端的二极管D6，一端与三极管VT3的基极相连接、另一端则与单向晶闸管D7的P极相连接的电阻R11，以及一端与三极管VT4的基极相连接、另一端则与单向晶闸管D7的P极相连接的电阻R12组成；所述单向晶闸管D7的N极与三极管VT4的集电极相连接、P极接地、其控制极则与补偿电路相连接；所述三极管VT4的发射极还与补偿电路相连接。

3.根据权利要求2所述的基于三极管自激式振荡电路的铝电解用智能打壳控制系统，其特征在于，所述的补偿电路由场效应管MOS3，三极管VT5，正极与场效应管MOS3的源极相连接、负极则与单向晶闸管D7的控制极相连接的极性电容C6，一端与场效应管MOS3的源极相连接、另一端接地的电阻R14，串接在场效应管MOS3的漏极和三极管VT5的基极之间的电容C7，一端与场效应管MOS3的漏极相连接、另一端接地的电阻R15，以及一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端则经电阻R15后与场效应管MOS3的漏极相连接的电阻R16组成；所述场效应管MOS3的栅极与电容C5的负极相连接；所述三极管VT4的发射极与三极管VT5的发射极相连接；所述三极管VT5的发射极和电阻R15与电阻R16的连接点则共同形成该三极管自激振荡模块的输出端。

4.根据权利要求3所述的基于三极管自激式振荡电路的铝电解用智能打壳控制系统，其特征在于，所述信号处理模块则由选频电路，与选频电路相连接的低通滤波电路，以及同时与选频电路和低通滤波电路相连接的两级放大电路组成。

5.根据权利要求4所述的基于三极管自激式振荡电路的铝电解用智能打壳控制系统，其特征在于，所述的选频电路由三极管VT1，三极管VT2，二极管D1，二极管D2，电阻R1，电阻R2，电阻R3以及电容C1组成；所述电阻R1串接在二极管D2的P极与三极管VT1的集电极之间，所述电阻R2串接在二极管D2的P极与三极管VT1的基极之间；所述电阻R3串接在二极管D2的N极和三极管VT2的发射极之间；电容C1则串接在三极管VT2的基极和集电极之间；所述三极管VT2的基极与三极管VT1的基极相连接、其集电极则与两级放大电路相连接；所述二极管D1的N极与三极管VT1的发射极相连接、其P极则与低通滤波电路相连接；所述二极管D2的N极与两级放大电路相连接、其P极则与二极管D1的P极共同形成该信号处理模块的输入端，该输入端则与槽控机信号输入接口的输出端相连接。

6.根据权利要求5所述的基于三极管自激式振荡电路的铝电解用智能打壳控制系统，其特征在于，所述的低通滤波电路由双栅极场效应管MOS1，一端与双栅极效应管MOS1的第二栅极相连接、另一端则与二极管D1的P极相连接的电感L1，正极与双栅极场效应管MOS1的第一栅极相连接、负极则与双栅极场效应管MOS1的漏极相连接的极性电容C2，正极经电感L2后与双栅极场效应管MOS1的漏极相连接、负极接地的极性电容C3，以及一端与双栅极场效应管MOS1的源极相连接、另一端则与极性电容C3的负极相连接的电阻R7组成；所述双栅极场效应管MOS1的漏极则与两级放大电路相连接。