[发明专利]用于把半导体管芯附接到载体的方法有效
申请号: | 201510720146.8 | 申请日: | 2015-10-30 |
公开(公告)号: | CN105575827B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | M.鲍尔;L.海策尔;C.施蒂姆普弗尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;杜荔南 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 管芯 接到 载体 方法 | ||
本公开涉及用于把半导体管芯附接到载体的方法。方法包括:提供半导体管芯,所述半导体管芯包括第一主面和与第一主面相对的第二主面以及在第一主面上的至少一个电接触元件;把绝缘层施加到所述半导体管芯的所述第二主面上;把焊料互连层施加到所述绝缘层上;以及利用焊料互连层把所述半导体管芯附接到载体。
技术领域
本公开涉及一种用于制作电子器件的方法,用于把半导体管芯附接到载体的方法,以及一种电子器件。
背景技术
当制作电子器件或电子模块时,非常常见的是,具有背面电接触焊盘的半导体芯片以及不具有背面电接触焊盘的半导体芯片必须被附接到载体。具有背面电接触焊盘的半导体芯片例如是包括垂直晶体管结构的芯片,比如例如,绝缘栅双极(IGB)晶体管。不具有背面电接触焊盘的半导体芯片是例如逻辑芯片或控制器芯片。为了把这些不同的半导体芯片附接到载体,不同的非兼容过程步骤是必要的,这些过程步骤以不同的热负荷条件为特征,这意味着它们必须被分离并且材料也必须相应地被选择。
附图说明
附图被包括以提供对实施例的进一步理解,并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图图示实施例,并且与描述一起用于解释实施例的原理。其他实施例和实施例的许多预期优点将被容易理解,因为它们通过参考下面的详细描述而变得更好理解。附图中的元件不一定相对于彼此按比例。相似的附图标记指示相应的类似部分。
图1A-C示出示意性横截面侧视图表示以图示用于根据示例制作电子器件的方法。
图2A-E示出示意性横截面侧视图表示以图示用于制作半导体芯片以使得半导体芯片能够以电绝缘方式附接到载体的方法的示例。
图3A-E示出示意性横截面侧视图表示以图示用于制作半导体芯片以使得半导体芯片能够以电绝缘方式附接到载体的方法的示例,其中,在半导体管芯下方的周缘部(circumferential edge portion)不被焊料互连层覆盖。
图4示出根据示例的电子器件的示意性横截面侧视图表示。
具体实施方式
现在参照附图描述各方面和实施例,其中贯穿全文,相似的附图标记通常用于指代相似的元件。在下面的描述中,出于解释的目的,许多具体的细节被阐述以便提供对实施例的一个或多个方面的彻底理解。然而,对于本领域的一个技术人员可能明显的是,这些实施例的一个或多个方面可以用较少程度的具体细节被实践。在其他实例中,已知的结构和元件以示意性的形式示出,以便于促进描述实施例的一个或多个方面。应该理解的是,在不脱离本发明的范围的情况下其他实施例可以被利用并且结构或逻辑的改变可以被做出。应当进一步注意的是,附图不是按比例的或不一定按比例。
此外,虽然实施例的特定特征或方面可以相对于几个实施方式中的只有一个被公开,但是这样的特征或方面可以与其他实施方式的一个或多个其他特征或方面组合,如对于任何给定或特定应用而言可以期望和有利的那样。此外,关于术语“包括”、“有”、“具有”或其其他变体在详细描述或权利要求中使用,这样的术语旨在以类似于术语“包含”的方式是包括性的。可以使用术语“耦合”和“连接”连同派生词。应当理解,这些术语可以被用于指示两个元件彼此协作或交互,无论它们是直接物理或电接触,还是它们不彼此直接接触。此外,术语“示例性”仅意指作为示例,而不是最佳的或最优的。因此,下面的详细描述不应被以限制意义理解,并且本发明的范围由所附权利要求限定。
电子器件和用于制作电子器件的方法的实施例可以使用各种类型的半导体芯片或并入在半导体芯片中的电路,其中包括逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、传感器电路、MEMS(微机电系统)、功率集成电路、具有集成无源器件的芯片等。实施例也可以使用半导体芯片,该半导体芯片包括MOS晶体管结构或垂直晶体管结构,像例如,IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构或者,通常来说,其中至少一个电接触焊盘被布置在半导体芯片的第一主面上并且至少一个其他电接触焊盘被布置在与半导体芯片的第一主面相对的半导体芯片的第二主面上的晶体管或其他结构或器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造