[发明专利]用于把半导体管芯附接到载体的方法

权利要求书

1.一种用于制作电子器件的方法，包括：

- 提供第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有布置在第一半导体管芯的第一主面上的第一电接触元件和布置在所述第一半导体管芯的与所述第一主面相对的第二主面上的第二电接触元件的第一半导体管芯，和被直接地施加到所述第一半导体管芯的所述第二主面和所述第一半导体管芯的所述第二电接触元件的第一焊料互连层；

- 提供第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括具有布置在第二半导体管芯的第一主面上的电接触元件和与所述第一主面相对的没有电接触元件的第二主面的第二半导体管芯、被直接地施加到所述第二半导体管芯的所述第二主面的绝缘层、以及被直接地施加到绝缘层的第二焊料互连层，以使得所述第二焊料互连层通过所述绝缘层与所述第二半导体管芯的整个第二主面分离；

- 直接经由所述第一焊料互连层把所述第一半导体芯片附接到第一载体；以及

- 直接经由所述第二焊料互连层把所述第二半导体芯片附接到第二载体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

所述第一半导体管芯包括如下各项中的一个或多个：功率晶体管、垂直晶体管、绝缘栅双极（IGB）晶体管和垂直二极管。

3.根据前述权利要求之一所述的方法，其中

所述第二半导体管芯包括如下各项中的一个或多个：逻辑集成电路、控制电路以及配置成控制晶体管的电路。

4.根据权利要求1所述的方法，其中

所述绝缘层包括范围为0.5 μm至2 μm的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中

第一和第二焊料互连层中的一个或多个包括范围为0.5 μm到1.0μm的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在同一过程步骤中同时附接第一和第二半导体芯片。

7.一种用于将半导体管芯附接到载体的方法，所述半导体管芯包括第一主面、在所述第一主面上的至少一个电接触元件、和与所述第一主面相对的没有任何电接触元件的第二主面，所述方法包括：

把绝缘层直接地施加到半导体管芯的所述第二主面上；

把焊料互连层直接地施加到所述绝缘层上，所述焊料互连层通过所述绝缘层与所述半导体管芯的整个第二主面分离；以及

直接经由所述焊料互连层把所述半导体管芯附接到所述载体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中

施加绝缘层包括沉积二氧化硅层。

9.根据权利要求8的方法，其中

沉积二氧化硅层包括退火或溅射。

10.根据权利要求7的方法，其中

施加绝缘层包括施加绝缘层压板、绝缘箔和绝缘片中的一个或多个。

11.根据权利要求7-10之一所述的方法，还包括：

在半导体晶片上提供多个半导体管芯，所述半导体管芯每个均包括第一主面、在所述第一主面上的至少一个电接触元件和与第一主面相对的没有任何电接触元件的第二主面；

把绝缘层直接地施加到半导体管芯的所述第二主面上；以及

把焊料互连层直接地施加到绝缘层上，所述焊料互连层通过所述绝缘层与每个半导体管芯的整个第二主面分离；以及

单颗化所述半导体晶片以得到多个分离的半导体芯片。

12.根据权利要求7至10之一所述的方法，其中

所述绝缘层被施加到半导体晶片的整个主面。

13.根据权利要求11的方法，其中

所述焊料互连层被施加到所述绝缘层的整个主面。