[发明专利]基板液处理装置有效
申请号: | 201510718351.0 | 申请日: | 2015-10-29 |
公开(公告)号: | CN105575850B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 南田纯也;木山祥吾 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基板液 处理 装置 | ||
本发明提供一种提高来自液处理部的排气的气液分离性的基板液处理装置。本发明的基板液处理装置包括液处理部、第1排气管、以及第2排气管。液处理部用于使用处理液来对基板进行处理。第1排气管的至少一部分配置于比液处理部靠上方的位置。第2排气管的一端侧与液处理部相连接,用于利用排气机构经由第1排气管对液处理部进行排气。另外,第2排气管的另一端侧与第1排气管的配置于比液处理部靠上方的位置的部分相连接。
技术领域
本发明涉及一种基板液处理装置。
背景技术
以往,公知有一种用于对硅晶圆、化合物半导体晶圆等基板进行液处理的基板液处理装置。
例如,公知有一种在液处理部的下方设有排气管的收纳空间的基板液处理装置,该排气管供来自液处理部的排气流动(参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2008-34490号公报
发明内容
然而,在所述以往技术中,从提高来自液处理部的排气的气液分离性这点来看,存在进一步改进的余地。
例如,在所述以往技术中,在液处理部设置排液杯和排气杯,独立地自排液杯进行排液和自排气杯进行排气,由此提高了气液分离性。然而,在排气路径中有可能流入有例如雾沫。虽然能够通过例如在排气路径上设置雾沫收集器来在某一程度上抑制雾沫流入到排气路径中,但优选的是将流入到排气路径中的雾沫抑制得更少。
本发明的一技术方案的目的在于,提供一种能够提高来自液处理部的排气的气液分离性的基板液处理装置。
本发明的一技术方案的基板液处理装置包括液处理部、第1排气管、以及第2排气管。液处理部用于使用处理液来对基板进行处理。第1排气管的至少一部分配置于比液处理部靠上方的位置。第2排气管的一端侧与液处理部相连接,用于利用排气机构经由第1排气管对液处理部进行排气。另外,第2排气管的另一端侧与第1排气管的配置于比液处理部靠上方的位置的部分相连接。
采用一技术方案,能够提高来自液处理部的排气的气液分离性。
附图说明
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。
图2是表示处理单元的概略结构的图。
图3是表示处理单元的排气路径的图。
图4是处理站的示意性立体图。
图5是处理站的示意性侧视图。
图6是处理站的示意性俯视图。
图7是排气切换单元的示意性立体图。
图8是排气切换单元的示意性立体图。
图9是表示排气切换单元的结构的图。
图10是表示外部气体导入部的结构的图。
图11是表示排气切换中的状态的图。
图12是流量调整处理的说明图。
图13是流量调整处理的说明图。
图14是表示在基板处理系统中执行的基板处理的处理步骤的一个例子的流程图。
图15是第1变形例的处理站的示意性侧视图。
图16是第2变形例的处理站的示意性俯视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510718351.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造