[发明专利]显示装置、COA基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶技术领域，特别是涉及一种显示装置、COA基板及其制造方法。

背景技术

COA(ColorFilteronArray)基板所采用的技术是将一种将彩色滤光片集成在阵列基板上的技术。相比传统的CF(彩色滤光片)基板与TFT(薄膜晶体管)基板对组技术，COA技术提供了一种降低显示面板制备过程中对盒制程的难度的设计思路。具体来说，在传统技术中，为了尽量消除对组误差，在设计中采用较宽的黑色矩阵(BM)遮光，而在COA基板中，黑色矩阵可以设计为窄线宽，开口率随之提升。另外，COA基板通过色阻层增加了像素电极与金属走线之间的距离，减小了二者间的电容耦合效应，金属线上的信号延时效应得以改善，面板品质得到提升。

然而，COA基板在增加金属走线与像素电极间的距离的同时，也使得像素电极与金属走线搭接难度的增加。具体来说，像素电极与金属走线之间间隔两层绝缘层和一层彩色滤光片，需要通过一个很深的过孔搭接。为了防止像素电极断线或者与金属走线之间接触不良，这个过孔的开孔面积比较大。在后续的制成中，当液晶滴下时，液晶容易在过孔处聚集，造成过孔附近的液晶偏转不受电压控制，引起显示异常，影响显示装置的面板的品质。

综上所述，有必要提供一种显示装置、COA基板及其制造方法以解决上述问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种显示装置、COA基板及其制造方法，能够提高显示装置的面板的品质。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种COA基板的制造方法，包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的第一金属层、设置在第一金属层上的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上的半导体活性层以及设置在半导体活性层上的第二金属层，第二金属层形成薄膜晶体管的漏极；在薄膜晶体管上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成色阻层；在色阻层上形成第三绝缘层；形成露出薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔；该方法还包括：在第三绝缘层上形成ITO膜层，其中ITO膜层包括设置在过孔上的过孔区域ITO膜层和设置在过孔外的非过孔区域ITO膜层；在ITO膜层上形成光阻层；对过孔区域ITO膜层上的光阻层进行遮光处理，并对非过孔区域ITO膜层上的光阻层进行曝光处理；对过孔区域ITO膜层上的光阻层和非过孔区域ITO膜层上的光阻层进行显影处理，以得到覆盖在过孔区域ITO膜层上的光阻层塞子。

其中，非过孔区域ITO膜层包括走线区域ITO膜层和非走线区域ITO膜层；对非过孔区域ITO膜层上的光阻层进行曝光处理包括：对走线区域ITO膜层上的光阻层进行部分曝光处理，以部分剥离走线区域ITO膜层上的光阻层，且对非走线区域ITO膜层上的光阻层进行完全曝光处理，以全部剥离非走线区域ITO膜层上的光阻层。

其中，对走线区域ITO膜层上的光阻层进行部分曝光处理包括：利用半透光光罩对走线区域ITO膜层上的光阻层进行半曝光处理。

其中，对所述过孔区域ITO膜层上的所述光阻层进行显影处理的步骤之后，该方法还包括：利用蚀刻工艺剥离非走线区域ITO膜层。

其中，利用蚀刻工艺剥离非走线区域ITO膜层的步骤之后，该方法还包括：利用干刻工艺对走线区域ITO膜层上的光阻层和过孔区域ITO膜层上的光阻层进行处理，以全部剥离走线区域ITO膜层上的光阻层，部分剥离在过孔区域ITO膜层上的光阻层，使得光阻层塞子覆盖在过孔上。

其中，裸露在过孔外的光阻层塞子的侧面垂直衬底基板。

为解决上述技术问题，本发明采用另一个技术方案是：提供一种COA基板，包括：衬底基板；设置在衬底基板上的薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的第一金属层、设置在第一金属层上的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上的半导体活性层以及设置在半导体活性层上的第二金属层，第二金属层形成薄膜晶体管的漏极；设置在薄膜晶体管上的第二绝缘层，设置在第二绝缘层上的色阻层；设置在色阻层上的第三绝缘层以及露出薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔；该COA基板还包括：设置在第三绝缘层上的ITO膜层，其中ITO膜层包括设置在过孔上的过孔区域ITO膜层；覆盖在过孔区域ITO膜层上的光阻层塞子。

其中，光阻层塞子包括突出部和塞子，塞子填充于过孔内，突出部突出于过孔。

其中，突出部包括与衬底基板平行的水平面以及垂直衬底基板的侧面。

为解决上述技术问题，本发明采用又一个技术方案是：提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一项的COA基板。