[发明专利]显示装置、COA基板及其制造方法

权利要求书

1.一种COA基板的制造方法，包括：在衬底基板上形成薄膜晶体 管，其中所述薄膜晶体管包括设置在所述衬底基板上的第一金属层、设 置在所述第一金属层上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的半导 体活性层以及设置在所述半导体活性层上的第二金属层，所述第二金属 层形成所述薄膜晶体管的漏极；在所述薄膜晶体管上形成第二绝缘层； 在所述第二绝缘层上形成色阻层；在所述色阻层上形成第三绝缘层；形 成露出所述薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔；其特征在于，所述方法 还包括：

在所述第三绝缘层上形成ITO膜层，其中所述ITO膜层包括设置在 所述过孔上的过孔区域ITO膜层和设置在所述过孔外的非过孔区域ITO 膜层；

在所述ITO膜层上形成光阻层；

对所述过孔区域ITO膜层上的所述光阻层进行遮光处理，并对所述 非过孔区域ITO膜层上的所述光阻层进行曝光处理；

对所述过孔区域ITO膜层上的所述光阻层和所述非过孔区域ITO膜 层上的所述光阻层进行显影处理，以得到覆盖在所述过孔区域ITO膜层 上的光阻层塞子。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非过孔区域ITO 膜层包括走线区域ITO膜层和非走线区域ITO膜层；

所述对所述非过孔区域ITO膜层上的所述光阻层进行曝光处理包 括：

对所述走线区域ITO膜层上的所述光阻层进行部分曝光处理，以部 分剥离所述走线区域ITO膜层上的所述光阻层，且对所述非走线区域 ITO膜层上的所述光阻层进行完全曝光处理，以全部剥离所述非走线区 域ITO膜层上的所述光阻层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述走线区域 ITO膜层上的所述光阻层进行部分曝光处理包括：

利用半透光光罩对所述走线区域ITO膜层上的所述光阻层进行半曝 光处理。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述过孔区域 ITO膜层上的所述光阻层进行显影处理的步骤之后，所述方法还包括：

利用蚀刻工艺剥离所述非走线区域ITO膜层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用蚀刻工艺剥 离所述非走线区域ITO膜层的步骤之后，所述方法还包括：

利用干刻工艺对所述走线区域ITO膜层上的所述光阻层和所述过孔 区域ITO膜层上的所述光阻层进行处理，以全部剥离所述走线区域ITO 膜层上的所述光阻层，部分剥离在所述过孔区域ITO膜层上的所述光阻 层，使得所述光阻层塞子覆盖在所述过孔上。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，裸露在所述过孔外的 所述光阻层塞子的侧面垂直所述衬底基板。

7.一种COA基板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的薄 膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括设置在所述衬底基板上的第一金属 层、设置在所述第一金属层上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上 的半导体活性层以及设置在所述半导体活性层上的第二金属层，所述第 二金属层形成所述薄膜晶体管的漏极；设置在所述薄膜晶体管上的第二 绝缘层，设置在所述第二绝缘层上的色阻层；设置在所述色阻层上的第 三绝缘层以及露出所述薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔；其特征在 于，所述COA基板还包括：

设置在所述第三绝缘层上的ITO膜层，其中所述ITO膜层包括设置 在所述过孔上的过孔区域ITO膜层；

覆盖在所述过孔区域ITO膜层上的光阻层塞子。

8.根据权利要求7所述的COA基板，其特征在于，所述光阻层塞 子包括突出部和塞子，所述塞子填充于所述过孔内，所述突出部突出于 所述过孔。

9.根据权利要求8所述的COA基板，其特征在于，所述突出部包 括与所述衬底基板平行的水平面以及垂直所述衬底基板的侧面。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求7-9 任一项所述的COA基板。