[发明专利]铜柱栅阵列用镀锡铜柱制备方法有效
申请号: | 201510697594.0 | 申请日: | 2015-10-22 |
公开(公告)号: | CN105297086B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 于瑞善 | 申请(专利权)人: | 重庆群崴电子材料有限公司 |
主分类号: | C25D3/32 | 分类号: | C25D3/32;C25D7/00;C25D5/34 |
代理公司: | 重庆项乾光宇专利代理事务所(普通合伙) 50244 | 代理人: | 马光辉 |
地址: | 408000 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铜柱栅 阵列 镀锡 制备 方法 | ||
本发明公开了铜柱栅阵列用镀锡铜柱制备方法,包括下列步骤:第一步:选择直径统一的纯铜线;第二步:给铜线镀上一层厚度均匀的锡;第三部:将镀锡后的铜线用裁切设备裁切成长度一致的镀锡铜柱;所述第一步的纯铜线选用线径为0.05‑1毫米的纯铜线;所述第二步的镀锡流程为:1)采用除油液对选用的纯铜线表面进行除油处理,然后用水将纯铜线表面残留的除油液冲洗干净;2)采用微蚀液对表面除油后的纯铜线进行微蚀处理,然后用水将纯铜线表面残留的微蚀液冲洗干净;3)将微蚀处理后的纯铜线进入镀锡液中进行表面镀锡处理,然后先用热水冲洗,在用常温水冲洗;4)将镀锡处理过的纯铜线冲洗后静置冷风吹干。
技术领域
本发明涉及电子元器件引线制造技术,具体的为铜柱栅阵列用镀锡铜柱制备方法。
背景技术
多年来,使用各种不同的焊料柱结构来提高焊点的高度,并将此作为克服由于环氧玻璃印制电路板(PCB)上的铝陶瓷芯片载体的热膨胀系数不匹配而导致应变的一种方法。以往的柱形焊点都是由含铅焊料合金构成的(以Pb90/Sn10和Pb80/Sn20为多)。随着无铅进程的推进,一种无铅结构的替代产品必须在电气、机械和热疲劳可靠性等方面具有类似相同的性能。此外,使得芯片封装制造更为简单易行,也将这种制造控制在无铅工艺高温要求范围内,因此,CuCGA(铜柱栅阵列封装)必然成为下一代无铅柱栅阵列封装的发展方向。而铜柱栅阵列所使用的镀锡铜柱的快速制备就成为问题。
因此,有必要设计铜柱栅阵列用镀锡铜柱制备方法,来解决这个问题。
发明内容
本发明提出一种铜柱栅阵列用镀锡铜柱制备方法,使得镀锡铜柱直径统一,镀锡厚度一致,长度均匀且不易变形,同时生产成本不高。
本发明的技术方案是这样实现的:铜柱栅阵列用镀锡铜柱制备方法,包括下列步骤:
第一步:选择直径统一的纯铜线;
第二步:给铜线镀上一层厚度均匀的锡;
第三步:将镀锡后的铜线用裁切设备裁切成长度一致的镀锡铜柱;
所述第一步的纯铜线选用线径为0.05-1毫米的纯铜线;
所述第二步的镀锡流程为:
1)采用除油液对选用的纯铜线表面进行除油处理,然后用水将纯铜线表面残留的除油液冲洗干净;
2)采用微蚀液对表面除油后的纯铜线进行微蚀处理,然后用水将纯铜线表面残留的微蚀液冲洗干净;
3)将微蚀处理后的纯铜线进入镀锡液中进行表面镀锡处理,然后先用热水冲洗,在用常温水冲洗;
4)将镀锡处理过的纯铜线冲洗后静置冷风吹干;
进一步的,所述第二步镀锡流程中使用的除油液为:氢氧化纳60g/L,碳酸钠30g/L,磷酸三钠20g/L;
进一步的,所述第二步镀锡流程中使用的微蚀液为:5%硫酸溶液,硫代硫酸钠80g/L;
进一步的,所述第二步镀锡流程中使用的镀锡液配比为:SnSO4—20-28g/LH2SO4—10-43mL/L;硫脲—20-100g/L;柠檬酸—50-100g/L;次磷酸钠—20-100g/L;表面活性剂—1-2g/L;
该镀锡液的配制方法为:首先将适量浓H2SO4溶解至去离子水中,然后依次将SnSO4、硫脲、柠檬酸、次磷酸钠溶入H2SO4溶液中,并在温水浴中充分搅拌0.5h,然后将溶液过滤,并配至所需体积。
进一步的,在镀锡处理过程中,所述镀锡液的PH值不大于0.8,镀锡液的温度为25—45℃。
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