[发明专利]超大功率垂直芯片的集成封装结构在审
| 申请号： | 201510693971.3 | 申请日： | 2015-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN105261693A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 张善端;韩秋漪;荆忠 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海迈芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64;H01L33/48 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超大 功率 垂直 芯片 集成 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一张超大功率垂直芯片的集成封装结构，其特征在于：所述封装结构的基板包括负极导电板、正极导电板和两者之间的绝缘导热层；垂直芯片上方出光面的负极焊盘与负极导电板之间采用金属箔片进行连接；垂直芯片下方的正极与正极导电板之间共晶焊接。
2.根据权利要求1所述的超大功率垂直芯片的集成封装结构，其特征在于：所述负极导电板、金属箔片、绝缘层与正极导电板通过机械方式压紧，确保整个封装结构的强抗震性和稳定性。
3.根据权利要求1所述的超大功率垂直芯片的集成封装结构，其特征在于：在集成封装结构的模组上LED芯片成线型排列，LED芯片上方用柱面透镜成像，将芯片出光聚焦透射到待照射面上。
4.根据权利要求1所述的超大功率垂直芯片的集成封装结构，其特征在于：采用本集成封装结构的模组，电流密度为35-350A/cm2，输入电功率为120-1500W/cm2。
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