[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

半导体衬底，其具有主面；

半导体层，其经由隐埋绝缘膜而形成在所述半导体衬底的所述主面之上；

第一n阱区域和第二n阱区域，其形成于所述半导体衬底的所述主面，沿所述主面的第一方向延伸；

虚设p阱区域，其设置于所述第一n阱区域与所述第二n阱区域之间，沿所述第一方向延伸；

第一p阱区域，其在所述虚设p阱区域的相反一侧与所述第一n阱区域相邻，沿所述第一方向延伸；

第二p阱区域，其在所述虚设p阱区域的相反一侧与所述第二n阱区域相邻，沿所述第一方向延伸；

第一位线和第二位线，其分别沿着所述第一方向延伸；

多个存储单元，其分别与所述第一位线和所述第二位线连接；以及

多个字线，其分别与所述多个存储单元连接，分别沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸，

所述多个存储单元分别包括：

第一p沟道型晶体管，其设置于所述第一n阱区域之上的所述半导体层，其漏极与第一蓄积节点连接，其栅极与第二蓄积节点连接；

第一n沟道型晶体管，其设置于所述第一p阱区域之上的所述半导体层，其漏极与所述第一蓄积节点连接，其栅极与所述第二蓄积节点连接；

第二p沟道型晶体管，其设置于所述第二n阱区域之上的所述半导体层，其漏极与所述第二蓄积节点连接，其栅极与所述第一蓄积节点连接；

第二n沟道型晶体管，其设置于所述第二p阱区域之上的所述半导体层，其漏极与所述第二蓄积节点连接，其栅极与所述第一蓄积节点连接；

第三n沟道型晶体管，其设置于所述半导体层，将所述第一位线与所述第一蓄积节点之间电连接；以及

第四n沟道型晶体管，其设置于所述半导体层，将所述第二位线与所述第二蓄积节点之间电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述半导体层的表面在俯视观察下具有元件分离区域以及由所述元件分离区域划分的多个有源区域，

在所述元件分离区域形成有元件分离膜，

所述元件分离膜的膜厚比将所述隐埋绝缘膜与所述半导体层加在一起的膜厚大。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一n阱区域与所述第一p阱区域的边界在俯视观察下位于所述元件分离区域。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述多个有源区域具有形成有所述第一p沟道型晶体管的第一有源区域、形成有所述第一n沟道型晶体管的第二有源区域、形成有所述第二p沟道型晶体管的第三有源区域以及形成有所述第二n沟道型晶体管的第四有源区域。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

在俯视观察下，所述第一有源区域位于所述第一n阱区域上，所述第二有源区域位于所述第一p阱区域上，所述第三有源区域位于所述第二n阱区域上，所述第四有源区域位于所述第二p阱区域上。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

所述第三n沟道型晶体管形成于所述第二有源区域内，所述第四n沟道型晶体管形成于所述第四有源区域内。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

在俯视观察下的所述第二方向上，在所述第一有源区域与所述第三有源区域之间形成有所述元件分离区域，所述虚设p阱区域配置在所述元件分离区域内且配置在所述元件分离膜之下。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述第一蓄积节点中写入“0”信息时，对所述第一n阱区域和所述第一p阱区域施加期望的正电压(Vb)，对所述第二n阱区域和所述第二p阱区域施加期望的负电压(－Vb)。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，

对所述虚设p阱区域施加比所述期望的负电压(－Vb)低的电压。