[发明专利]一种热式压力传感器在审
申请号: | 201510685795.9 | 申请日: | 2015-10-21 |
公开(公告)号: | CN105203250A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 凌方舟;蒋乐跃 | 申请(专利权)人: | 美新半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | G01L7/08 | 分类号: | G01L7/08;G01L1/00 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 庞聪雅 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压力传感器 | ||
技术领域
本发明是涉及半导体封装领域,尤其涉及一种热式MEMS压力传感器。
背景技术
随着电子产品小型化微型化的发展,电子产品对其内部元器件小型化的要求越来越高。压力传感器作为常见的传感器,应用于多种电子产品内,故压力传感器的小型化设计也成为关注重点。为了保证压力传感器的小型化设计,基于微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem,MEMS)的压力传感器越来越受到人们关注。基于MEMS技术的压力传感器,包括基板,固定于所述基板的外壳,所述基板与所述外壳构成所述压力传感器外部封装结构。所述外部封装结构内、所述基板上固定设置有压力传感器芯片和集成电路芯片,压力传感器芯片与集成电路芯片通过金属引线打线的方式电连接,基板上设置有焊盘,基板焊盘将压力传感器内部芯片与外部电子电路电连接,同时,压力传感器通过焊盘固定于外部主板上。传统结构的压力传感器,压力传感器芯片直接固定于基板上,在压力传感器装配、使用过程中,基板受到的应力会传导至压力传感器芯片上,压力传感器芯片感应该应力,使压力传感器产生误差,导致压力传感器性能问题。
现有的压力传感器不仅成本高,集成度低,而且测试压力的精度较低。
因此,有必要提出一种新的方案。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种低成本,高集成度,体积小,高灵敏度的热式MEMS压力传感器。
为达成前述目的,本发明的热式压力传感器,其特征在于:其包括:
一基片,其形成有凹槽,所述凹槽的开口部设置有薄膜,所述薄膜将所述凹槽封闭为腔体,所述腔体中设置有热电偶和加热器,所述热电偶分别位于所述加热器的内侧和外侧。
作为本发明一个优选的实施方式,所述热电偶和加热器位于同一平面。
作为本发明一个优选的实施方式,所述加热器内侧热电偶TP1和外侧热电偶TP2相对所述腔体中心呈对称分布。
作为本发明一个优选的实施方式,所述热电偶和加热器位于腔体内悬空的桥梁结构上。
作为本发明一个优选的实施方式,所述加热器产生热量,在腔体内建立温度场,在没有额外压力的情况下,加热器内侧热电偶TP1和外侧热电偶TP2与薄膜的间距均为d0,加热器内侧热电偶TP1感受加热器的温度为T10,加热器外侧热电偶TP2感受加热器的温度为T20,内侧热电偶TP1和外侧热电偶TP2的温差为:T10-T20=△T0,
所述薄膜受到外部压力发生形变,内侧热电偶TP1和外侧热电偶TP2与薄膜的间距分为变为d1和d2,内侧热电偶TP1的热量同时向上和向下传递,则所述内侧热电偶TP1的温度变为T11,所述外侧热电偶TP2的热量同时向上、向下和向腔体侧壁传递,则所述外侧热电偶TP2的温度变为T21,则内侧热电偶TP1和外侧热电偶TP2的温度的温差变为:T11-T21=△T1,
由于薄膜受到外部压力变化而导致的腔体内温度的变化可得到:
δ=ΔT0-ΔT1,
其中,不同的δ值对应不同的薄膜的形变量和外部压力P,
ρ∞δ。
作为本发明一个优选的实施方式,所述基片的材料为硅、玻璃、石英、陶瓷中的一种或多种。
作为本发明一个优选的实施方式,所述热电偶和加热器将封闭的腔体分为上腔体和下腔体。
本发明的有益效果:与现有技术相比,本发明的具有如下优点:
(1)本发明的热式压力传感器,其制作成本低。
(2)本发明的热式压力传感器,其具有高集成度。
(3)本发明的热式压力传感器,其体积小,节约空间。
(4)本发明的热式压力传感器,其具有高灵敏度,测量压力的精度高。
附图说明
图1是本发明热式压力传感器的结构示意图;
图2是图1的俯视结构示意图;
图3是图1的剖视示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细说明。
此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例,也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。
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