[发明专利]金属栅极器件形成方法在审
| 申请号： | 201510680484.3 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN105321884A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 雷通;易海兰;丁弋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 器件 形成 方法 | ||
1.一种金属栅极器件形成方法，其特征在于包括依次执行下述步骤：
在形成有通过浅沟槽隔离隔开的NMOS区域和PMOS区域的硅片上形成金属硅化物；
依次沉积第一氮化硅薄膜和研磨停止层；
沉积第一介质层以覆盖研磨停止层；
通过化学机械研磨，将NMOS和PMOS区域的多晶硅虚设栅极暴露出来，并且将暴露出的多晶硅虚设栅极去除；
在去除多晶硅虚设栅极之后的凹槽中填充高介电常数介质层和金属栅极；
去除所述第一介质层和研磨停止层；
生长高应力氮化硅薄膜，然后生长作为层间介电材料的氧化硅介质薄膜。
2.根据权利要求1所述的金属栅极器件形成方法，其特征在于，所述金属栅极器件的金属栅极是高介电常数金属栅极。
3.根据权利要求1或2所述的金属栅极器件形成方法，其特征在于，所述第一氮化硅薄膜的厚度为30-100A。
4.根据权利要求1或2所述的金属栅极器件形成方法，其特征在于，研磨停止层的材料非晶硅。
5.根据权利要求1或2所述的金属栅极器件形成方法，其特征在于，研磨停止层的厚度为100-500A。
6.根据权利要求1或2所述的金属栅极器件形成方法，其特征在于，第一介质层的材料是非晶碳。
7.根据权利要求1或2所述的金属栅极器件形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀将暴露出的多晶硅虚设栅极去除。
8.根据权利要求1或2所述的金属栅极器件形成方法，其特征在于，高介电常数介质是HfO2。
9.根据权利要求1或2所述的金属栅极器件形成方法，其特征在于，氧化硅介质薄膜的厚度为2000-5000A。
10.根据权利要求1或2所述的金属栅极器件形成方法，其特征在于，氮化硅薄膜的厚度为100-400A，氮化硅薄膜为高张应力氮化硅薄膜或高压应力氮化硅薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
