[发明专利]减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置及方法

权利要求书

1.一种减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置，其特征在于，包括：清洁腔体，所述清洁腔体设于键合点胶的上料轨道上，所述上料轨道用于传送芯片，其中，

所述清洁腔体内设置有吹气管道以及吸气管道，所述吹气管道的出风口设于芯片的至少其中一侧的斜上方，所述吸气管道的进风口对应地设于芯片的相对侧的斜上方。

2.根据权利要求1所述的减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置，其特征在于，所述的吹气管道的口径小于吸气管道的口径。

3.根据权利要求1所述的减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置，其特征在于，所述吹气管道包括：A组吹气管道和B组吹气管道，所述吸气管道包括：A组吸气管道和B组吸气管道；所述A组吹气管道设于垂直于芯片的进给方向的一侧，所述A组吸气管道设于垂直于芯片的进给方向的相对侧；所述B组吹气管道设于芯片的下游，所述B组吸气管道设于芯片的上游。

4.根据权利要求3所述的减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置，其特征在于，所述A组吹气管道的管道数量等于芯片的排数，所述B组吹气管道的管道数量等于芯片的列数。

5.根据权利要求3所述的减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置，其特征在于，所述A组吸气管道的吸气面积大于等于A组吹气管道的吹气面积，所述B组吸气管道的吸气面积大于等于B组吹气管道的吹气面积。

6.根据权利要求3所述的减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置，其特征在于，所述A组吹气管道和B组吹气管道均为并排布置。

7.根据权利要求3所述的减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置，其特征在于，所述A组吹气管道、A组吸气管道、B组吹气管道和B组吸气管道均能够在清洁腔体内进行水平及竖直的移动。

8.一种减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁方法，其采用权利要求1至7中任一项所述的在线气相清洁装置，其特征在于，所述的在线气相清洁方法包括以下步骤：

步骤一：打开清洁腔体，使所述B组吸气管道向下移动，使运送芯片的托盘工装沿上料轨道的方向运动至清洁腔体中；

步骤二：运送芯片的托盘工装完全进入清洁腔体，关闭清洁腔体，所述B组吸气管道向上移动至工作位置；

步骤三：打开所述A组吹气管道与所述A组吸气管道，A组吹气管道进行吹气动作，同时A组吸气管道进行吸气动作，形成气路，清洁芯片表面；

步骤四：关闭所述A组吹气管道与所述A组吸气管道，打开所述B组吹气管道与所述B组吸气管道，形成气路，继续清洁芯片表面。

9.根据权利要求8所述的减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁方法，其特征在于，还包括：

步骤五：多次依序重复步骤三和步骤四，使A组吹气管道、A组吸气管道与B组吹气管道、B组吸气管道轮流开启。

10.根据权利要求8所述的减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁方法，其特征在于，所述的A组吹气管道和B组吹气管道均使用高纯氮气，高纯氮气的气压范围是2Mpa至5Mpa。