[发明专利]薄膜晶体管阵列基底及其制造方法和有机发光显示设备

说明书

提供了薄膜晶体管(TFT)阵列基底及其制造方法和有机发光显示设备。所述薄膜晶体管(TFT)阵列基底包括：缓冲层，设置在基底上；存储电容器，设置在缓冲层中，并且包括沿垂直于基底的方向形成的第一电极和平行于第一电极设置且与第一电极绝缘的第二电极；以及驱动TFT，设置在缓冲层上。

本申请要求于2014年10月16日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0140175号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

一个或更多个示例性实施例涉及薄膜晶体管(TFT)阵列基底、制造该TFT阵列基底的方法和包括该TFT阵列基底的有机发光显示设备。

背景技术

通常，有机发光显示设备是包括多个有机发光器件的自发光显示设备，其中，有机发光器件均包括空穴注入电极、电子注入电极以及形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发射层。当从空穴注入电极注入的空穴与从电子注入电极注入的电子在有机发射层中结合时，产生激子，当激子从激发态落到基态时，产生光。

因为有机发光显示设备是自发光显示设备，所以单独的光源是不必要的。因此，有机发光显示设备可在低电压下驱动并被制造为具有轻的重量和纤薄的轮廓。另外，有机发光显示设备具有诸如宽视角、高对比度和快速响应时间的高级特性。因此，有机发光显示设备被视为下一代显示设备。

发明内容

一个或更多个示例性实施例包括薄膜晶体管(TFT)阵列基底、制造该TFT阵列基底的方法和包括该TFT阵列基底的有机发光显示设备。

另外的方面将在随后的描述中部分阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可通过给出的示例性实施例的实践而得知。

根据一个或更多个示例性实施例，一种TFT阵列基底，包括：缓冲层，设置在基底上；存储电容器，设置在缓冲层中，并且包括沿垂直于基底的方向形成的第一电极和平行于第一电极设置且与第一电极绝缘的第二电极；以及驱动TFT，设置在缓冲层上。

TFT阵列基底还可包括连接第一电极和驱动TFT的漏电极的连接件。

存储电容器可形成在基底的边缘上。

第一电极可沿基底的四个侧边缘形成。

第二电极可以以距离第一电极的预定距离设置，并且与第一电极相比设置在基底的更外侧上，第二电极可沿基底的四个侧边缘形成。

TFT阵列基底还可包括设置在第一电极和第二电极之间且与第一电极和第二电极平行的存储绝缘层。

根据一个或更多个示例性实施例，一种TFT阵列基底，包括：驱动TFT，设置在基底上；以及存储电容器，设置在基底中，并且包括沿垂直于基底的方向形成的第一电极和平行于第一电极设置且与第一电极绝缘的第二电极。

TFT阵列基底还可包括设置在基底上的缓冲层，其中，电极孔可形成在缓冲层中。

TFT阵列基底还可包括：栅极绝缘层和层间绝缘层，形成在缓冲层上；以及连接件，设置在层间绝缘层上以连接第一电极和驱动TFT的漏电极，其中，连接件可通过电极孔连接第一电极和漏电极。

第一电极和第二电极可设置在基底的边缘上，并可沿基底的四个侧边缘形成，第二电极与第一电极相比可形成在基底的更外侧上。

根据一个或更多个示例性实施例，一种制造TFT阵列基底的方法，包括：在基底上形成缓冲层；沿垂直于基底的方向在缓冲层中形成第一图案，并且在缓冲层中平行于第一图案形成第二图案；通过分别在第一图案和第二图案中沉积第一电极和第二电极形成存储电容器；在缓冲层上形成驱动TFT的有源层、源电极和漏电极；在有源层上形成使栅电极绝缘且具有接触孔的栅极绝缘层；以及形成通过接触孔连接第一电极和源电极或漏电极的连接件。