[发明专利]薄膜晶体管阵列基底及其制造方法和有机发光显示设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基底包括：

缓冲层，设置在基底上；

存储电容器，设置在所述缓冲层中，并且包括沿垂直于所述基底的方向形成的第一电极和平行于所述第一电极设置且与所述第一电极绝缘的第二电极，其中，所述缓冲层的位于所述第一电极与所述第二电极之间的部分用作存储绝缘层；以及

驱动薄膜晶体管，设置在所述缓冲层上。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基底还包括连接所述第一电极和所述驱动薄膜晶体管的漏电极的连接件。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，所述存储电容器形成在所述基底的边缘上。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，所述第一电极沿所述基底的四个侧边缘形成。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，

所述第二电极以距离所述第一电极的预定距离设置，并且与所述第一电极相比设置在所述基底的更外侧上，

所述第二电极沿所述基底的四个侧边缘形成。

6.一种薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基底包括：

驱动薄膜晶体管，设置在基底上；以及

存储电容器，设置在所述基底中，并且包括沿垂直于所述基底的方向形成的第一电极和平行于所述第一电极设置且与所述第一电极绝缘的第二电极，

其中，所述基底的位于所述第一电极与所述第二电极之间的部分用作存储绝缘层。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基底还包括设置在所述基底上的缓冲层，

其中，电极孔形成在所述缓冲层中。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基底还包括：

栅极绝缘层和层间绝缘层，形成在所述缓冲层上；以及

连接件，设置在所述层间绝缘层上以连接所述第一电极和所述驱动薄膜晶体管的漏电极，

其中，所述连接件通过所述电极孔连接所述第一电极和所述漏电极。

9.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，

所述第一电极和所述第二电极设置在所述基底的边缘上，并沿所述基底的四个侧边缘形成，

所述第二电极与所述第一电极相比形成在所述基底的更外侧上。

10.一种制造薄膜晶体管阵列基底的方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底上形成缓冲层；

沿垂直于所述基底的方向在所述缓冲层中形成第一图案，并且在所述缓冲层中平行于所述第一图案形成第二图案；

通过分别在所述第一图案和所述第二图案中沉积第一电极和第二电极形成存储电容器，其中，所述缓冲层的位于所述第一电极与所述第二电极之间的部分用作存储绝缘层；

在所述缓冲层上形成驱动薄膜晶体管的有源层、源电极和漏电极；

在所述有源层上形成使栅电极绝缘且具有接触孔的栅极绝缘层；以及

形成通过所述接触孔连接所述第一电极和所述源电极或所述漏电极的连接件。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，

所述第一图案和所述第二图案设置在所述基底的边缘上，并沿所述基底的四个侧边缘形成，

所述第二图案与所述第一图案相比形成在所述基底的更外侧上。