[发明专利]一种制备半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201510663130.8 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105355559A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体器件 方法 | ||
1.一种制备半导体器件的方法，其特征在于，包括：
提供一半导体器件，所述半导体器件包括基底层和位于所述基底层上表面的氧化物层；
于所述氧化物层上表面沉积图案化掩膜层，并以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述氧化物层至所述基底层上表面，形成沟槽；
去除所述掩膜层，于所述沟槽内进行第一次非掺杂外延生长，以形成第一非掺杂外延生长层；
于所述沟槽内进行第二次非掺杂外延生长，以形成第二非掺杂外延生长层，且所述第二非掺杂外延生长层的上表面与所述氧化物层上表面处于同一平面；
刻蚀部分所述氧化物层，以将所述第二非掺杂外延生长层和部分所述第一非掺杂外延生长层暴露；
去除暴露的所述第一非掺杂外延生长层，并于所述第二非掺杂外延生长层外依次生长高介电常数层和金属材料层，以形成金属栅极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底层的材质为单晶硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
采用化学气相沉积法沉积所述氧化物层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物层的材质为氧化硅。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀所述氧化物层至所述基底层上表面。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
采用原位水汽生成工艺于所述第二非掺杂外延生长层外形成氧化层；
于所述氧化层表面沉积多晶硅，以形成多晶硅栅极。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用锗掺杂工艺形成所述第一非掺杂外延生长层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀去除部分所述第一非掺杂外延生长层。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用SiCoNi蚀刻部分所述氧化物层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
