[发明专利]对准精度测量的图形结构有效
| 申请号： | 201510662782.X | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105204299B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王艳云;毛智彪;杨正凯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准精度测量 图形结构 对准图形 对准记号 对准 内框 外框 八角形结构 对准测量 对准误差 高阶系数 精度量测 先进技术 占用空间 矢量 八角形 第三层 第一层 光刻层 切割道 冗余 外部 多层 减小 应用 优化 | ||
【权利要求书】：
1.一种多层间对准测量方法，所述多层间对准测量方法用于测试对准精度测量的图形结构，所述对准精度测量的图形结构至少包括被对准图形的外框及对准图形的内框，所述被对准图形的外框及对准图形的内框为八角形结构，其特征在于，所述的多层间对准测量方法至少包括以下步骤：
形成第一层外部被对准记号；
旋转一定角度后形成第二层外部被对准记号；
形成第三层八角形内部对准记号。
2.根据权利要求1所述的多层间对准测量方法，其特征在于，旋转角度为45°。
3.根据权利要求1所述的多层间对准测量方法，其特征在于，所述被对准图形的外框及对准图形的内框为中心轴对称的八角形结构。
4.根据权利要求1所述的多层间对准测量方法，其特征在于，所述的对准精度测量的图形结构适用于不同光源曝光机台，包括I线光刻机、KrF光刻机、ArF光刻机和EUV光刻机台。
5.根据权利要求1所述的多层间对准测量方法，其特征在于，所述的对准精度测量的图形结构包括通孔形、线型及沟道状层次。
6.根据权利要求1所述的多层间对准测量方法，其特征在于，所述的对准精度测量的图形结构还包括所述被对准图形的外框与对准图形的内框之间的间隔区的沟道及光刻胶部分。
7.根据权利要求1所述的多层间对准测量方法，其特征在于，所述的对准精度测量的图形结构的尺寸可根据实际应用情况进行调整。
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