[发明专利]半导体器件

说明书

将具有利用了基准电阻的振荡电路的半导体芯片(CP1)树脂封固而形成半导体器件。振荡电路利用基准电阻生成基准电流，根据该基准电流和振荡部的振荡频率生成电压，振荡部以与所生成的电压相应的频率进行振荡。在由半导体芯片(CP1)的主面的第1边(S1、S2、S3、S4)、连接第1边的一端与半导体芯片的主面的中心(CT1)而成的第1线(42、43、44、45)、连接第1边的另一端与半导体芯片的主面的中心而成的第2线(42、43、44、45)所包围的第1区域(RG1、RG2、RG3、RG4)内，通过在垂直于第1边的第1方向(Y)上延伸的多个电阻体形成基准电阻。

本发明申请是国际申请日为2010年11月29日、国际申请号为PCT/JP2010/071264、进入中国国家阶段的国家申请号为201080070396.7、发明名称为“半导体器件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体器件，尤其涉及具有振荡电路的半导体器件。

背景技术

在各种半导体器件中有时使用振荡电路。

在日本特开2007－13119号公报(专利文献1)和日本特开2010－10168号公报(专利文献2)中，记载了关于具有振荡电路的半导体器件的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-13119号公报

专利文献2：日本特开2010-10168号公报

发明内容

为了使需要振荡电路的半导体器件系统整体小型化，使振荡电路内置在半导体芯片内是有效的。另外，在内置有振荡电路以外的各种电路的半导体芯片内，若也内置振荡电路，则能够使半导体器件系统更加小型化。

然而，根据本发明人的研究，发现了如下情况。

为了提高振荡电路的性能，本发明人对利用了基准电阻的振荡电路进行了研究。具体而言，对如下振荡电路进行了研究：利用基准电阻生成基准电流，根据该基准电流和振荡部的振荡频率生成电压，以与所生成的电压相应的频率使振荡部振荡。在这种振荡电路中，由于根据基准电流和振荡频率生成电压，将所生成的电压输入到振荡部，且以与电压相应的频率使振荡部振荡，从而能够实现振荡频率的稳定化。然而，当基准电阻的电阻值由于某种原因而变动时，振荡频率也会变动，因此希望尽可能排除基准电阻的电阻值的变动原因。

于是，本发明人对基准电阻的电阻值的变动原因进行了研究，新发现了如下情况。

虽然内置有振荡电路的半导体芯片被树脂材料封固而封装，但因将半导体芯片树脂封固而导致在半导体芯片中产生应力，由该应力使内置于半导体芯片的基准电阻的电阻值发生变动。因树脂封固产生的应力所导致的电阻值的变动，即使是在通常的电阻元件中不会造成问题的程度的变动，在上述那样的振荡电路的基准电阻中也会成为振荡频率的变动原因。也就是说，若由于由将半导体芯片树脂封固所引起的应力使内置于半导体芯片的基准电阻的电阻值发生变动，则导致振荡电路的振荡频率发生变动，这会使具有振荡电路的半导体器件的性能下降。

本发明的目的在于，提供一种能够提高半导体器件的性能的技术。

本发明的上述目的、其他目的以及新型特征，将从本说明书的记述以及附图中得到明确。

对本申请所公开的发明中的、具有代表性的发明的概要简单说明如下。