[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具有被树脂封固的半导体芯片，其特征在于，

所述半导体芯片具有振荡电路，

所述振荡电路具有：利用基准电阻将电压转换成电流的电压-电流转换部；根据来自所述电压-电流转换部的输入电流和振荡部的振荡频率生成电压的电压生成部；和以与来自所述电压生成部的输入电压相应的频率进行振荡的所述振荡部，

在所述电压-电流转换部中，通过对所述基准电阻施加基准电压来生成基准电流，将与所述基准电流相应的电流作为所述输入电流而输入到所述电压生成部，

所述半导体芯片的主面中，由所述半导体芯片的所述主面的第1边、连接所述第1边的一端与所述半导体芯片的所述主面的中心的第1线、和连接所述第1边的另一端与所述半导体芯片的所述主面的中心的第2线围成第1区域，所述基准电阻在所述第1区域内由在垂直于所述第1边的第1方向上延伸的多个电阻体形成，

所述电阻体分别通过在所述第1方向上延伸的第1导电体图案而形成，

所述多个电阻体分别通过与所述第1导电体图案同层或不同层的第2导电体图案而串联连接，所述第2导电体图案在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，

将邻接的所述电阻体彼此连接的所述第2导电体图案的电阻值为所述电阻体的电阻值的1/10以下。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2方向是与所述第1边平行的方向。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述多个电阻体在所述第2方向上并列配置。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述基准电阻形成在所述第1区域中的、距所述第1边0.1mm以上的位置。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述基准电阻与所述第1区域中的、连接所述第1线的中心和所述第2线的中心而成的第3线相比靠所述第1边侧配置。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1导电体图案由金属构成。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1导电体图案由高熔点金属构成。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1导电体图案由钨、氮化钛或氮化钽构成。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1导电体图案由多晶硅构成。

10.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

形成有除所述基准电阻以外的所述振荡电路的振荡电路形成区域，配置在所述半导体芯片的所述主面的中心附近。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

所述基准电阻在所述半导体芯片的所述主面上与所述振荡电路形成区域分离地配置。

12.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

在所述半导体芯片的所述主面的周边部形成有多个焊盘电极，

形成有除所述基准电阻以外的所述振荡电路的振荡电路形成区域，配置在与所述多个焊盘电极中的至少一个以上的焊盘电极在俯视时重叠的位置。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述半导体芯片的所述主面的周边部形成有多个焊盘电极，

所述基准电阻与形成有所述多个焊盘电极的所述周边部相比配置在内侧。