[发明专利]QLED与TFT集成器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种QLED与TFT集成器件及其制备方法。

背景技术

作为一项极具应用前景的显示技术，量子点发光二极管(QLED)近年来受到了产业界和学术界的广泛关注，并在短时间了取得了巨大的发展。按照驱动方式的不同，QLED可以分为被动式量子点发光二极管(PMQLED)与主动式量子点发光二极管(AMQLED)。由于PMQLED未被选中的像素点在工作的过程中容易产生较大的漏电流且其使用寿命较短，因此，目前主流的QLED研发机构均将重点放在AMQLED上。在AMQLED中，每一个像素点均由一个薄膜晶体管(TFT)独立控制开启与关闭，其具有能耗低、亮度高、对比度高等一系列优点。传统的AMQLED制备技术是在衬底基板上首先制备好驱动用TFT电路，然后再在其上面制备QLED，最后将制备好的TFT与QLED集成在一起。这种制备方法工艺较为复杂，生产成本较高。此外，在传统工艺中由于TFT多为非透明器件，为了不遮蔽QLED发出的光，QLED与TFT需在基板上交错排布，这样制得的显示屏开口率较低，不利于获得高性能的显示器件。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED与TFT集成器件，旨在解决现有QLED与TFT集成器件结构设置导致制备工艺复杂、生产成本高、且开口率低的问题。

本发明的另一目的在于提供一种QLED与TFT集成器件的制备方法。

本发明是这样实现的，一种QLED与TFT集成器件，包括TFT阵列基板和QLED，所述TFT阵列基板包括从下往上依次设置的衬底、栅极、绝缘层、半导体层和源/漏极层，所述源/漏极层包括互不接触的源极和漏极，所述QLED包括底电极、量子点发光层和顶电极，以所述TFT阵列基板的源极或漏极作为所述QLED的底电极，在所述源极或所述漏极上依次层叠设置有量子点发光层和顶电极。

以及，一种QLED与TFT集成器件的制备方法，包括以下步骤：

提供一TFT背板；

在所述TFT背板的源极或漏极上依次沉积量子点发光层和顶电极。

本发明提供的QLED与TFT集成器件，采用垂直叠加的方式将所述QLED和所述TFT阵列基板相连，同时，以所述TFT阵列基板的源极或漏极作为所述QLED的底电极，由此获得的QLED与TFT集成器件结构相对简单，因此易于简化器件的制备流程，降低生产成本。此外，所述QLED和所述TFT阵列基板垂直连接的方式，使得所述QLED无论采用顶发光型结构还是底发光型结构，都能获得较大的开口率，从而提高了所述QLED与TFT集成器件的性能。

本发明提供的QLED与TFT集成器件的制备方法，工艺流程简单，生产成本低，且能够获得开口率提高的高性能QLED与TFT集成器件。

附图说明

图1是本发明实施例提供的P沟道底发射型QLED与TFT集成器件的结构示意图和等效电路图；

图2是本发明实施例提供的P沟道顶发射型QLED与TFT集成器件的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的N沟道底发射型QLED与TFT集成器件的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的N沟道顶发射型QLED与TFT集成器件的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

结合图1-4，本发明实施例提供了一种QLED与TFT集成器件，包括TFT阵列基板1和QLED2，所述TFT阵列基板1包括从下往上依次设置的衬底11、栅极12、绝缘层13、半导体层14和源/漏极层15，所述源/漏极层15包括互不接触的源极151和漏极152，所述QLED2包括底电极21、量子点发光层24和顶电极27，以所述TFT阵列基板1的源极151或漏极152作为所述QLED2的底电极21，在所述源极151或所述漏极152上依次层叠设置有量子点发光层24和顶电极27。本发明实施例中，以所述TFT阵列基板1的源极151或漏极152作为所述QLED2的底电极21，也就意味着所述TFT阵列基板1的源极151或漏极152与所述QLED2的底电极21共用，从而减少了所述QLED与TFT集成器件中一个电极的设置，简化了所述QLED与TFT集成器件的结构和制作流程。