[发明专利]QLED与TFT集成器件及其制备方法

权利要求书

1.一种QLED与TFT集成器件，包括TFT阵列基板和QLED，所述TFT阵列基板包括从下往上依次设置的衬底、栅极、绝缘层、半导体层和源/漏极层，所述源/漏极层包括互不接触的源极和漏极，所述QLED包括底电极、量子点发光层和顶电极，其特征在于，以所述TFT阵列基板的源极或漏极作为所述QLED的底电极，在所述源极或所述漏极上依次层叠设置有量子点发光层和顶电极。

2.如权利要求1所述的QLED与TFT集成器件，其特征在于，所述QLED还包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层的至少一层。

3.如权利要求1所述的QLED与TFT集成器件，其特征在于，所述半导体层为P型半导体层或N型半导体层。

4.如权利要求1-3任一所述的QLED与TFT集成器件，其特征在于，所述半导体层为P型半导体层，以所述TFT阵列基板的漏极作为所述QLED的底电极，且所述QLED包括在所述漏极上依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和顶电极，其中，所述顶电极为功函数＜4.8的金属层，所述源极和所述漏极为功函数＞4.8的金属层。

5.如权利要求4所述的QLED与TFT集成器件，其特征在于，所述衬底为透明衬底；所述栅极为透明金属层；所述漏极的厚度为20-30nm；所述顶电极的厚度＞60nm；所述绝缘层的透光率＞70％。

6.如权利要求5所述的QLED与TFT集成器件，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底；和/或

所述栅极为ITO；和/或

所述顶电极的厚度＞100nm；和/或

所述绝缘层为聚合物介电材料层。

7.如权利要求4所述的QLED与TFT集成器件，其特征在于，所述栅极为不透明金属层；所述漏极的厚度＞60nm；所述顶电极的厚度为20-30nm；所述绝缘层为非透明绝缘层。

8.如权利要求7所述的QLED与TFT集成器件，其特征在于，所述漏极的厚度＞100nm；和/或

所述绝缘层为氧化硅材料层。

9.如权利要求1-3任一所述的QLED与TFT集成器件，其特征在于，所述半导体层为N型半导体层，以所述TFT阵列基板的源极作为所述QLED的底电极，且所述QLED包括在所述源极上依次层叠设置的电子注入层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和顶电极，其中，所述顶电极为功函数＞4.8的金属层，所述源极和所述漏极为功函数＜4.8的金属层。

10.如权利要求9所述的QLED与TFT集成器件，其特征在于，所述衬底为透明衬底；所述栅极为透明金属层；所述源极的厚度为20-30nm；所述顶电极的厚度＞60nm；所述绝缘层的透光率＞70％。

11.如权利要求10所述的QLED与TFT集成器件，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底；和/或

所述栅极为ITO；和/或

所述顶电极的厚度＞100nm；和/或

所述绝缘层为聚合物介电材料层。

12.如权利要求9所述的QLED与TFT集成器件，其特征在于，所述栅极为不透明金属层；所述源极的厚度＞60nm；所述顶电极的厚度为20-30nm；所述绝缘层为非透明绝缘层。

13.如权利要求12所述的QLED与TFT集成器件，其特征在于，所述漏极的厚度＞100nm；和/或

所述绝缘层为氧化硅材料层。

14.一种QLED与TFT集成器件的制备方法，包括以下步骤：

提供一TFT背板；

在所述TFT背板的源极或漏极上依次沉积量子点发光层和顶电极。

15.如权利要求14所述的QLED与TFT集成器件的制备方法，其特征在于，还包括沉积空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层的至少一层。

16.如权利要求14所述的QLED与TFT集成器件的制备方法，其特征在于，所述TFT背板的制备方法包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上形成栅极；

在所述栅极上依次形成绝缘层和半导体层；

在所述半导体层上沉积源/漏极层，所述源/漏极层包括互不接触的源极和漏极。