[发明专利]一种LTPS阵列基板以及液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体地说，涉及一种LTPS阵列基板以及液晶显示面板。

背景技术

低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，简称为LTPS)薄膜晶体管液晶显示器(即LTPS-TFTLCD)有别与传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器，其具有分辨率高、反应速度快、亮度高以及开口率高等优点，因此，LTPS-TFTLCD得到了越来越广泛的应用。

然而，现有LTPS-TFTLCD的阵列基板存在相邻子像素边缘位置处的穿透率明显低于其他位置处的穿透率的问题，这影响了液晶显示面板的显示效果。

基于上述情况，亟需一种能够保证相邻子像素边缘位置处的穿透率的LTPS阵列基板。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了调高LTPS阵列基板中相邻子像素边缘位置处的穿透率。为解决上述问题，本发明的一个实施例首先提供了一种LTPS阵列基板，其包括：

第一公共电极层；

钝化层，其形成在所述第一公共电极层上，所述钝化层中形成有第一过孔；

像素电极层，其形成在所述钝化层上；

第二公共电极层，其形成在所述钝化层上并处于所述像素电极层中两个相邻子像素的像素电极之间，且与所述像素电极层保持电隔离，所述第二公共电极层通过所述第一过孔与所述第一公共电极层电连接。

根据本发明的一个实施例，在所述阵列基板的数据线位置处，所述阵列基板还包括：

透光基板；

第一材料层，其形成在所述透光基板上；

数据线，其形成在所述第一材料层上；

平坦层，其形成在所述数据线和第一材料层上；

其中，所述第一公共电极层形成在所述平坦层上。

根据本发明的一个实施例，所述第二公共电极层形成在所述数据线的正上方。

根据本发明的一个实施例，所述第一材料层包括：

遮光层，其形成在所述透光基板上；

第一绝缘层，其形成在所述透光基板和遮光层上。

根据本发明的一个实施例，所述数据线形成在所述第一绝缘层上并处于所述遮光层的正上方。

根据本发明的一个实施例，在所述阵列基板的TFT开关位置处，所述阵列基板还包括：

透光基板；

遮光层，其形成在所述透光基板上；

第二绝缘层，其形成在所述遮光层和透光基板上；

多晶硅层，其形成在所述第二绝缘层上并处于所述遮光层的正上方；

第三绝缘层，其形成在所述多晶硅层和第二绝缘层上；

栅极层，其形成在所述第三绝缘层上并处于所述遮光层的正上方；

第四绝缘层，其形成在所述栅极层和第三绝缘层上；

源漏层，其形成在所述第四绝缘层上，所述源漏层通过形成在所述第三绝缘层和第四绝缘层中的第二过孔与所述多晶硅层电连接；

平坦层，其形成在所述源漏层和第四绝缘层上；

其中，所述第一公共电极层形成在所述平坦层上。

根据本发明的一个实施例，所述第二公共电极层通过所述第一过孔与所述两个相邻子像素中第一子像素的公共电极电连接。

根据本发明的一个实施例，所述两个相邻子像素中第二子像素的像素电极通过形成在所述钝化层和平坦层中的第三过孔与所述源漏层电连接。

根据本发明的一个实施例，所述第二公共电极层与所述像素电极层处于同一水平面上。

本发明还提供了一种液晶显示面板，其包括：

如上任一项所述的LTPS阵列基板；

彩色滤光板；

以及，设置在所述LTPS阵列基板与彩色滤光板之间的液晶层。

本发明所提供的阵列基板在相邻的像素电极位置处，通过过孔将公共电极桥接出来，桥接出的公共电极与像素电极处于同一水平面，从而使得该区域处的电场强度得到明显加强，进而提高了该区域出的穿透率。同时，对于单个子像素来说，其整体穿透率也会提高。

此外，在相邻子像素的边缘区域中，由于公共的电极与像素电极处于同一层别，因而不存在材料层数目增加的问题。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明