[发明专利]一种LTPS阵列基板以及液晶显示面板

权利要求书

1.一种LTPS阵列基板，其特征在于，包括：

第一公共电极层；

钝化层，其形成在所述第一公共电极层上，所述钝化层中形成有第一过孔；

像素电极层，其形成在所述钝化层上；

第二公共电极层，其形成在所述钝化层上并处于所述像素电极层中两个相邻子像素的像素电极之间，且与所述像素电极层保持电隔离，所述第二公共电极层通过所述第一过孔与所述第一公共电极层电连接。

2.如权利要求1所述的LTPS阵列基板，其特征在于，在所述阵列基板的数据线位置处，所述阵列基板还包括：

透光基板；

第一材料层，其形成在所述透光基板上；

数据线，其形成在所述第一材料层上；

平坦层，其形成在所述数据线和第一材料层上；

其中，所述第一公共电极层形成在所述平坦层上。

3.如权利要求2所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述第二公共电极层形成在所述数据线的正上方。

4.如权利要求2或3所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述第一材料层包括：

遮光层，其形成在所述透光基板上；

第一绝缘层，其形成在所述透光基板和遮光层上。

5.如权利要求4所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述数据线形成在所述第一绝缘层上并处于所述遮光层的正上方。

6.如权利要求1～5中任一项所述的LTPS阵列基板，其特征在于，在所述阵列基板的TFT开关位置处，所述阵列基板还包括：

透光基板；

遮光层，其形成在所述透光基板上；

第二绝缘层，其形成在所述遮光层和透光基板上；

多晶硅层，其形成在所述第二绝缘层上并处于所述遮光层的正上方；

第三绝缘层，其形成在所述多晶硅层和第二绝缘层上；

栅极层，其形成在所述第三绝缘层上并处于所述遮光层的正上方；

第四绝缘层，其形成在所述栅极层和第三绝缘层上；

源漏层，其形成在所述第四绝缘层上，所述源漏层通过形成在所述第三绝缘层和第四绝缘层中的第二过孔与所述多晶硅层电连接；

平坦层，其形成在所述源漏层和第四绝缘层上；

其中，所述第一公共电极层形成在所述平坦层上。

7.如权利要求6所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述第二公共电极层通过所述第一过孔与所述两个相邻子像素中第一子像素的公共电极电连接。

8.如权利要求7所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述两个相邻子像素中第二子像素的像素电极通过形成在所述钝化层和平坦层中的第三过孔与所述源漏层电连接。

9.如权利要求1～8中任一项所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述第二公共电极层与所述像素电极层处于同一水平面上。

10.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：

如权利要求1～9中任一项所述的LTPS阵列基板；

彩色滤光板；

以及，设置在所述LTPS阵列基板与彩色滤光板之间的液晶层。