[发明专利]一种高比表面积纳米介孔碳化硅空心球及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510659006.4 申请日: 2015-10-12
公开(公告)号: CN105236411A 公开(公告)日: 2016-01-13
发明(设计)人: 霍开富;高标;安威力;付继江;曾宪刚;魏哲;彭祥 申请(专利权)人: 湖北朗驰新型材料有限公司
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 邬丽明
地址: 430085 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 表面积 纳米 碳化硅 空心球 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于纳米功能材料技术领域。具体涉及一种高比表面积纳米介孔碳化硅空心球及其制备方法。

背景技术

碳化硅(SiC)材料具有耐高温、耐酸碱腐蚀和高机械强度等优异性能,而且具有较高的禁带宽度,高的临界击穿电场和较高的热导率,小的介电常数和较高的电子饱和迁移率,因此有优良的力学、化学、热学、电学性能,同时具有耐辐照、抗放射性、吸波等特性,是重要的核反应堆耐中子辐照材料和吸波隐身材料和高性能结构陶瓷材料,也是电子和光电子器件的理想材料,被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。研究结果表明,具有高比表面积和空心核结构的载体材料可以负载更多的异质催化剂,从而提高催化剂的催化性能。因此,制备同时具有高比表面积和空心核结构的SiC材料具有重要的应用价值。传统的碳热还原反应、自蔓延高温合成和聚合物热分解等方法在制备空心结构SiC存在很大的局限性,合成过程相当复杂且合成温度都在1300℃以上甚至达2000℃,能源损耗较大,成本高,无法大规模生产,更重要的是合成的SiC空心球结构无法保证完整性[Vix-Guterlc,AlixI,GibotP.etal.ApplSurfSci[J],2003,210:329-337]。

发明内容

本发明采用一种简单、可靠、可大规模生产高比表面积纳米介孔碳化硅空心球及其制备方法,该方法制备的SiC空心球具有结构均一、大小可调、高比表面积、介孔分布均匀等优点,而且具有节能、低成本等优点。

为实现上述要求,本发明采用的技术方案是:

一种高比表面积纳米介孔碳化硅空心球的制备方法,其包括以下步骤:

(1)在无水乙醇和水的混合溶剂中加入造孔剂,在水浴锅中35℃下搅拌;再向以上溶液加入氨水继续快速搅拌;接着逐滴加入正硅酸乙酯,35℃温度下强力搅拌24h;使用离心机将白色乳液用无水乙醇和蒸馏水交叉洗涤多次;

(2)将洗涤好的白色样品分散溶于适量溶剂中,将分散好的溶液置于恒温水槽中保温,时间为6-48h,制备出结构均一大小可调、壳厚可控的纳米二氧化硅空心球;

(3)通过湿化学方法在二氧化硅纳米空心球外表面均一包裹一层有机物:将二氧化硅空心球超声分散于蒸馏水中,加入三嵌段共聚物,接着加入三羟甲基氨基甲烷,强力搅拌使溶液澄清后加入盐酸多巴胺继续强力搅拌若干小时后抽滤,最后冷冻干燥,接着在保护气氛氩气下使其完全碳化得到碳包裹二氧化硅SiO2C;

(4)将SiO2C与镁按照摩尔比为1:(0.1~3)的量均匀混合,然后采用熔盐法加入与SiO2C按质量比1:(1~20)的金属盐,混合均匀后放入管式炉中在惰性气氛下先以1~30℃/min的升温速度升温至500~900℃并保温1~12h发生镁热反应,使SiO2C完全还原成碳化硅,随炉冷却至室温;将所得产物清洗过滤并冷冻干燥后再在空气中200~800℃退火去除多余的碳,得到纳米介孔碳化硅空心球。

上述方案中,所述步骤(1)中无水乙醇体积为10~500ml,水体积为10~1000ml,无水乙醇:水的体积比为0.1~10。

上述方案中,所述步骤(1)中造孔剂为0.1~10g的十六烷基三甲基溴化铵。

上述方案中,所述步骤(2)中溶剂为100~1000ml蒸馏水,恒温水槽的保温温度为20~95℃。

上述方案中,所述步骤(3)中二氧化硅空心球含量0.1~10g,加入0.1~5g三嵌段共聚物,所述三嵌段共聚物为聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物或聚氧乙烯-聚氧丙烯醚三嵌段共聚物,三羟甲基氨基甲烷0.1~12g,盐酸多巴胺0.01~10g,强力搅拌1~24h后抽滤。

上述方案中,所述步骤(4)中熔盐法采用的金属盐包括NaCl、KCl、LiCl、MgCl2、ZnCl2、AlCl3、CaCl2、LiF、NaCl、KF、NaF、NaI或KI中的一种或者两种以上任意比例的混合。

上述方案中,当为两种金属盐混合时,两种的质量比为1:(0.1~10)。

上述方法制备得到的高比表面积纳米介孔碳化硅空心球。

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