[发明专利]多种金属栅的集成方法

权利要求书

1.一种多种金属栅的集成方法，包括以下步骤：

1)在衬底上按标准体硅平面工艺加工，制备源/漏和假栅，直至源/漏杂质激活；

2)去除假栅，淀积HK介质，再淀积一层薄金属作为缓冲层；

3)光刻露出一种器件，淀积金属，通过机械剥离实现金属栅只在该器件的区间内；

4)重复步骤3)，扩展到n种器件，金属栅1～金属栅n具备不同大小的功函数；

5)清洗后填充金属M，作为n种器件金属栅的导电层；

6)通过对金属M进行化学机械抛光，实现多种器件之间的导电层分离。

2.如权利要求1所述的多种金属栅的集成方法，其特征在于，所述衬底为体硅、SOI、体锗、GOI或化合物衬底。

3.如权利要求1所述的多种金属栅的集成方法，其特征在于，所述器件为传统平面器件、FinFET器件、FDSOI器件或纳米线器件。

4.如权利要求1所述的多种金属栅的集成方法，其特征在于，较小功函数的金属栅选择Al、Ti或AlTiN；中等大小功函数的金属栅选择TiN或TaN；较大功函数的金属栅选择Pt、Ru、W或富氮的TiN。

5.如权利要求1所述的多种金属栅的集成方法，其特征在于，作为缓冲层的金属采用TaN或TiN，淀积方法为原子层淀积。

6.如权利要求1所述的多种金属栅的集成方法，其特征在于，金属栅的淀积方式是物理气相淀积、化学气相淀积或电子束蒸发。

7.如权利要求1所述的多种金属栅的集成方法，其特征在于，作为导电层的填充金属M采用W或Cu。