[发明专利]溅射靶及层叠膜

说明书

本发明提供一种溅射靶及层叠膜，本发明的溅射靶包含30质量％以上且50质量％以下的Zn、5质量％以上且15质量％以下的Ni、2质量％以上且10质量％以下的Mn，还包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的选自Fe、Sn、Sb的一种或两种以上的元素，剩余部分由Cu和不可避免杂质构成。

技术领域

本发明涉及一种在形成由铜或铜合金构成的Cu膜的保护膜时使用的溅射靶、以及具备通过该溅射靶而成膜的保护膜的层叠膜。

本申请基于2014年10月20日于日本申请的专利申请2014-213565号要求优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

以往，作为液晶和有机EL面板等平板显示器、触控面板等的配线膜，Al被广泛使用。最近实现了配线膜的微细化(宽度变窄)及薄膜化，并要求比以往的比电阻低的配线膜。

伴随着上述配线膜的微细化及薄膜化，提供一种使用比电阻低于Al的材料即铜或铜合金的配线膜。

在此，由比电阻较低的铜或铜合金构成的Cu配线膜存在着在具有湿度的气氛中容易变色的问题。另外，在为了提高耐候性而使用含有添加元素较多的铜合金的情况下，将导致比电阻上升。

因此，例如在专利文献1中提出有在Cu配线膜上形成由Ni-Cu-(Cr，Ti)合金构成的保护膜的层叠配线膜、以及用于形成该保护膜的溅射靶。

然而，在通过蚀刻由铜或铜合金构成的Cu配线膜而形成图形时，使用包含氯化铁的蚀刻液。在此，如专利文献1所记载，在使用包含氯化铁的蚀刻液对具有由Ni-Cu-(Cr，Ti)合金构成的保护膜的层叠配线膜进行蚀刻的情况下，有时保护膜的一部分未溶解而作为残渣而残留。由于配线之间有可能因该残渣而短路，因此作为配线膜而使用较为困难。并且在保护膜中含有Cr的情况下，蚀刻后的废液中含有Cr，在废液处理时存在耗费成本的问题。另外，在专利文献1所记载的保护膜中，由于大量含有35质量％以上且84.5质量％以下的比较昂贵的Ni，因此存在溅射靶及层叠配线膜的制造成本增加的问题。

于是，在专利文献2中，提出有一种Cu配线膜和保护膜对包含氯化铁的蚀刻液具有相同的蚀刻性的层叠配线膜、以及用于形成该保护膜的溅射靶。

专利文献1：日本特开2012-193444号公报

专利文献2：日本特开2014-114481号公报

然而，最近在推进液晶和有机EL面板等平板显示器、触控面板等的大型化，并推进形成配线膜的玻璃基板的大型化(大面积化)。随之，在大面积基板上成膜时使用的溅射靶也成为大型化。

在此，在对大型的溅射靶投入较高的电力而实施溅射时有可能产生靶的异常放电。另外，所谓异常放电是与正常溅射时相比有极高的电流突然急速流过，从而急速产生异常大的放电的现象。

并且，通过异常放电而有可能容易产生被称作“喷溅”的现象。另外，所谓该喷溅现象是在靶表面的突起物和绝缘物蓄积溅射中的电荷，且在所述突起物和绝缘物与靶表面、腔室之间产生异常放电，从而靶的一部分熔融而产生的现象。在产生该喷溅现象的情况下，熔融的靶成为微粒而飞散并附着于基板上，从而使配线或电极之间短路，产生成品率大幅降低的问题。

在此，靶表面的晶粒根据其取向而溅射速度不同，因此若溅射时间较长，则有时在靶表面沿晶界产生高低差。若靶表面的晶粒直径较粗，则上述高低差较大，与前面所述的突起物一样，更容易产生电荷的蓄积，从而容易产生异常放电。尤其在靶表面局部产生较粗的晶粒的情况下，由于局部产生高低差，因此异常放电的产生较为显著。

并且，在大型的溅射靶的情况下，与小型的溅射靶相比容易产生晶粒直径的不均匀，且更容易产生异常放电。

发明内容