[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201510654443.7 申请日: 2015-10-10
公开(公告)号: CN105223749A 公开(公告)日: 2016-01-06
发明(设计)人: 周纪登 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李相雨
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

透明TFT液晶显示面板(TFT-LCD,ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay)面板是指具有一定程度的透光性,并且可以显示画面后面的背景,可用于建筑物或车辆商店橱窗等的TFT-LCD面板。除了原有的显示功能外,更具备提供资讯等未来显示装置特色,因此受到市场的关注,未来有望占据部分如建筑物,广告牌,公共场所等显示市场,并带动整体TFT-LCD面板市场的发展。

透明TFT-LCD装置最大的特点是透明,而透明是人眼反映给大脑的感觉,这种感觉主要来自于透明TFT-LCD装置背后的物体的亮度,所以现有的透明TFT-LCD装置会在显示屏的后方安装大功率的照明装置,这种方式会造成透明TFT-LCD装置的功率很大。无背光透明TFT-LCD装置可以有效降低显示屏的功耗,但由于目前液晶面板透过率很低,在不使用背光的情况下,透明效果很不理想。目前通常的做法是,去除彩膜侧RGB色阻(即彩膜)制作黑白透明显示屏,将RGB色阻去除后,可以将液晶面板的透过率从5.9%提升至约22%。去RGB色阻的方式使得透明TFT-LCD装置在无背光下透明显示效果有很大提升,但透过率还是有一定的提升空间。

发明内容

本发明要解决的技术问题是:如何提高透明TFT-LCD显示屏的透过率。

为解决上述技术问题,本发明提供了一种阵列基板,包括:形成在衬底基板上的栅线、数据线、公共电极线,所述公共电极线将显示区域划分成多个像素区域,每个所述像素区域内都设置有像素电极;

其中,所述像素区域包括:至少两个像素畴区域,所述像素电极与所述像素畴区域对应的部分具有条状镂空,所述栅线和数据线相交,且所述栅线和数据线中至少一条形成在所述至少两个像素畴区域之间的暗纹区,所述栅线和数据线的交叉处形成有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管连接所述栅线、数据线和像素电极,所述栅线和数据线之间间隔第一绝缘层,所述数据线和像素电极之间间隔第二绝缘层。

其中,每个所述像素区域包括:两行、两列四个像素畴区域;所述栅线和数据线相互垂直,且均形成在所述四个像素畴区域之间的暗纹区。

其中,所述像素电极具有的条状镂空相对于其对应的暗纹区对称。

其中,

所述栅线形成在所述衬底基板之上;

所述数据线、公共电极线和薄膜晶体管的第一极位于同一层,位于所述栅线上方且与所述栅线间隔所述第一绝缘层;

所述薄膜晶体管的栅极和栅线一体形成;

所述薄膜晶体管的有源层位于所述栅极上方,与所述栅极间隔所述第一绝缘层,且电连接所述薄膜晶体管的第一极和第二极;

所述薄膜晶体管的第二极与所述数据线一体形成;

所述像素电极位于所述数据线上方,所述像素电极通过穿过所述第二绝缘层的过孔连接所述薄膜晶体管的第一极。

其中,所述第二绝缘层与像素电极之间还形成有第三绝缘层,所述像素电极通过穿过所述第二绝缘层和第三绝缘层的过孔连接所述薄膜晶体管的第一极。

其中,还包括:存储电极,所述存储电极形成在所述公共电极线对应的区域,与所述公共电极线间隔所述第一绝缘层,且连接像素电极,所述存储电极与公共电极线之间形成存储电容。

其中,所述存储电极和栅线位于同一层。

其中,所述像素电极与所述公共电极线具有重叠的区域,与所述公共电极线间隔所述第二绝缘层,所述像素电极与公共电极线之间形成存储电容。

其中,所述像素电极的形状为具有条状镂空的正方形。

本发明还提供了一种显示装置,包括上述任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板对置的对置基板及两基板间的液晶,所述阵列基板和对置基板上分别形成有相互垂直的配向层,所述配向层的暗纹区均与所述像素畴区域之间的暗纹区重叠。

其中,所述对置基板上对应所述像素电极的区域为无色透明区域。

本发明还提供了一种阵列基板制作方法,包括:

在衬底基板上形成包括栅线和栅极的图形;

依次形成包括第一绝缘层的图形、包括有源层的图形,并使所述有源层位于栅线和待形成的数据线交叉的区域;

形成包括数据线、公共电极线和薄膜晶体管的第一极和第二极的图形,使所述公共电极线将显示区域划分成多个像素区域,所述像素区域包括:至少两个像素畴区域,所述数据线和栅线相交,且所述栅线和数据线中至少一条形成在所述像素畴区域之间的暗纹区;

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