[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：形成在衬底基板上的栅线、数据线、公共电极线，所述公共电极线将显示区域划分成多个像素区域，每个所述像素区域内都设置有像素电极；

其中，所述像素区域包括：至少两个像素畴区域，所述像素电极与所述像素畴区域对应的部分具有条状镂空，所述栅线和数据线相交，且所述栅线和数据线中至少一条形成在所述至少两个像素畴区域之间的暗纹区，所述栅线和数据线的交叉处形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管连接所述栅线、数据线和像素电极，所述栅线和数据线之间间隔第一绝缘层，所述数据线和像素电极之间间隔第二绝缘层。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素区域包括：两行、两列四个像素畴区域；所述栅线和数据线相互垂直，且均形成在所述四个像素畴区域之间的暗纹区。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极具有的条状镂空相对于其对应的暗纹区对称。

4.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，

所述栅线形成在所述衬底基板之上；

所述数据线、公共电极线和薄膜晶体管的第一极位于同一层，位于所述栅线上方且与所述栅线间隔所述第一绝缘层；

所述薄膜晶体管的栅极和栅线一体形成；

所述薄膜晶体管的有源层位于所述栅极上方，与所述栅极间隔所述第一绝缘层，且电连接所述薄膜晶体管的第一极和第二极；

所述薄膜晶体管的第二极与所述数据线一体形成；

所述像素电极位于所述数据线上方，所述像素电极通过穿过所述第二绝缘层的过孔连接所述薄膜晶体管的第一极。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层与像素电极之间还形成有第三绝缘层，所述像素电极通过穿过所述第二绝缘层和第三绝缘层的过孔连接所述薄膜晶体管的第一极。

6.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：存储电极，所述存储电极形成在所述公共电极线对应的区域，与所述公共电极线间隔所述第一绝缘层，且连接像素电极，所述存储电极与公共电极线之间形成存储电容。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电极和栅线位于同一层。

8.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极与所述公共电极线具有重叠的区域，与所述公共电极线间隔所述第二绝缘层，所述像素电极与公共电极线之间形成存储电容。

9.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的形状为具有条状镂空的正方形。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9中任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板对置的对置基板及两基板间的液晶，所述阵列基板和对置基板上分别形成有相互垂直的配向层，所述配向层的暗纹区均与所述像素畴区域之间的暗纹区重叠。

11.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述对置基板上对应所述像素电极的区域为无色透明区域。

12.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成包括栅线和栅极的图形；

依次形成包括第一绝缘层的图形、包括有源层的图形，并使所述有源层位于栅线和待形成的数据线交叉的区域；

形成包括数据线、公共电极线和薄膜晶体管的第一极和第二极的图形，使所述公共电极线将显示区域划分成多个像素区域，所述像素区域包括：至少两个像素畴区域，所述数据线和栅线相交，且所述栅线和数据线中至少一条形成在所述像素畴区域之间的暗纹区；

形成包括第二绝缘层和穿过所述第二绝缘层的第一过孔；

在每个所述像素区域形成包括像素电极的图形，其中，所述像素电极与像素畴区域对应的部分包括条状镂空，所述像素电极通过第一过孔连接所述薄膜晶体管的第一极。

13.如权利要求12所述的阵列基板制作方法，其特征在于，每个所述像素区域包括：两行、两列四个像素畴区域，形成所述栅线和数据线时，使所述栅线和数据线相互垂直，且均形成在所述四个像素畴区域之间的暗纹区。

14.如权利要求12所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在形成所述第二绝缘层的步骤之后、形成像素电极的步骤之前还在第二绝缘层上形成第三绝缘层，所述第一过孔穿过第三绝缘层和第二绝缘层。