[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置、掩膜板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、一种包括该阵列基板的显示装置、一种掩膜板。

背景技术

低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，LTPS)薄膜晶体管液晶显示器有别于传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器，其电子迁移率较高，可有效减小薄膜晶体管器件的面积，从而达到提高开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。另外，较高的电子迁移率可以将部分驱动电路集成在玻璃基板上，减少了驱动电路成本，还可以大幅提升液晶显示面板的可靠性，从而使得面板的制造成本大幅降低。因此，低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器逐步成为研究的热点。

在制作低温多晶硅薄膜晶体管的过程中，需要通过构图工艺分别形成有源层、栅极、过孔、源漏极，并对有源层进行离子掺杂。其中过孔包括用于将源漏极与有源层相连的第一过孔、用于将栅线和为栅线提供扫描信号的信号线相连的第二过孔。对于顶栅型薄膜晶体管，在进行离子掺杂的步骤中，可以利用栅极作为掩膜进行离子掺杂，但是为了防止光照对有源层的影响，需要另外通过一次构图工艺形成遮光层，因此，顶栅型低温多晶硅薄膜晶体管至少需要五次构图工艺，导致使用的掩膜板数量较多；对于底栅型薄膜晶体管，可以省去遮光层，但是在进行离子掺杂时，需要再次掩膜板。可以看出，现有技术中低温多晶硅薄膜晶体管的制作工艺较复杂，使用掩膜板数量和次数较多，制作成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置、掩膜板，以减少制作过程中掩膜板的使用。

作为本发明的一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：

S1、形成包括栅极和栅线的图形；

S2、形成绝缘层；

S3、形成包括有源层的图形，其中，所述有源层所在的区域包括对应于栅极的第一区域和位于第一区域两侧的第二区域；

S4、形成掩膜图形，所述掩膜图形包括镂空部、第一部和第二部，所述镂空部用于将栅线的一部分对应的绝缘层露出，所述第二部对应于所述第二区域中的一部分区域，所述第一部为所述掩膜图形上镂空部和第二部以外的部分，所述第二部的厚度小于所述第一部的厚度；

S5、对所述绝缘层进行刻蚀，以形成露出所述栅线的一部分的过孔；

S6、对所述掩膜图形对应于所述第二区域的部分进行灰化，以将所述掩膜图形对应于第二区域的部分去除，并对所述有源层进行离子注入。

优选地，所述第二区域包括离子重掺杂区域和位于离子重掺杂区域与第一区域之间的离子轻掺杂区域，步骤S4包括：

S4a、形成光刻胶层；

S4b、利用掩膜板对光刻胶层进行曝光并显影，并使得显影后，栅线的一部分对应的光刻胶完全溶解，对应于离子重掺杂区域的光刻胶溶解掉一部分，形成所述第二部，其余部分的光刻胶完全保留，形成所述第一部。

优选地，步骤S6包括：

S6a、对显影后的所述光刻胶层进行第一次灰化，以将所述第二部去除；

S6b、对所述有源层进行第一次离子注入，形成重掺杂源极区和重掺杂漏极区；

S6c、对第一次灰化后的光刻胶层进行第二次灰化，以将对应于所述离子轻掺杂区域的光刻胶去除；

S6d、对所述有源层进行第二次离子注入，形成轻掺杂漏区。

优选地，所述光刻胶为正性光刻胶，所述掩膜板包括透光区、不透光区和半透光区，所述掩膜板的透光区对应于所述栅线的一部分，所述掩膜板的半透光区对应于所述离子重掺杂区域，所述掩膜板的透光区和半透光区以外的部分为不透光区。

优选地，所述制作方法还包括在步骤S6之后进行的：

S7、形成包括源极、漏极和导电引线的图形，所述源极搭接在所述重掺杂源极区，所述漏极搭接在所述重掺杂漏极区，所述导电引线通过所述过孔与所述栅线相连。

优选地，步骤S3包括：

形成非晶硅膜层；

对所述非晶硅膜层进行退火工艺形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行构图工艺形成所述有源层。