[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置、掩膜板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

S1、形成包括栅极和栅线的图形；

S2、形成绝缘层；

S3、形成包括有源层的图形，其中，所述有源层所在的区域包括对应于栅极的第一区域和位于第一区域两侧的第二区域；

S4、形成掩膜图形，所述掩膜图形包括镂空部、第一部和第二部，所述镂空部用于将栅线的一部分对应的绝缘层露出，所述第二部对应于所述第二区域中的一部分区域，所述第一部为所述掩膜图形上镂空部和第二部以外的部分，所述第二部的厚度小于所述第一部的厚度；

S5、对所述绝缘层进行刻蚀，以形成露出所述栅线的一部分的过孔；

S6、对所述掩膜图形对应于所述第二区域的部分进行灰化，以将所述掩膜图形对应于第二区域的部分去除，并对所述有源层进行离子注入。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二区域包括离子重掺杂区域和位于离子重掺杂区域与第一区域之间的离子轻掺杂区域，步骤S4包括：

S4a、形成光刻胶层；

S4b、利用掩膜板对光刻胶层进行曝光并显影，并使得显影后，栅线的一部分对应的光刻胶完全溶解，对应于离子重掺杂区域的光刻胶溶解掉一部分，形成所述第二部，其余部分的光刻胶完全保留，形成所述第一部。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，步骤S6包括：

S6a、对显影后的所述光刻胶层进行第一次灰化，以将所述第二部去除；

S6b、对所述有源层进行第一次离子注入，形成重掺杂源极区和重掺杂漏极区；

S6c、对第一次灰化后的光刻胶层进行第二次灰化，以将对应于所述离子轻掺杂区域的光刻胶去除；

S6d、对所述有源层进行第二次离子注入，形成轻掺杂漏区。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶，所述掩膜板包括透光区、不透光区和半透光区，所述掩膜板的透光区对应于所述栅线的一部分，所述掩膜板的半透光区对应于所述离子重掺杂区域，所述掩膜板的透光区和半透光区以外的部分为不透光区。

5.根据权利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在步骤S6之后进行的：

S7、形成包括源极、漏极和导电引线的图形，所述源极搭接在所述重掺杂源极区，所述漏极搭接在所述重掺杂漏极区，所述导电引线通过所述过孔与所述栅线相连。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的制作方法，其特征在于，步骤S3包括：

形成非晶硅膜层；

对所述非晶硅膜层进行退火工艺形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行构图工艺形成所述有源层。

7.一种阵列基板，包括薄膜晶体管和与该薄膜晶体管的栅极相连的栅线，所述薄膜晶体管的有源层包括对应于栅极的多晶硅区以及分别位于多晶硅区两侧的重掺杂源极区和重掺杂漏极区，所述有源层还包括位于多晶硅区与重掺杂源极区之间以及多晶硅区与重掺杂源极区之间的轻掺杂漏区，所述薄膜晶体管的源极与重掺杂源极区电连接，所述薄膜晶体管的漏极与重掺杂漏极区电连接，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极位于有源层的下方，所述栅极和栅线与有源层之间设置有绝缘层，所述阵列基板还包括导电引线，该导电引线通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述栅线电连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述源极搭接在所述重掺杂源极区，所述漏极搭接在所述重掺杂漏极区。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述导电引线和所述源极、漏极的材料相同。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7至9中任意一项所述的阵列基板。

11.一种掩膜板，用于进行阵列基板的制作，其特征在于，所述阵列基板为权利要求7至9中任意一项所述的阵列基板，所述掩膜板包括透光区、不透光区和半透光区，所述透光区用于与栅线的一部分对应，所述半透光区用于与对应于重掺杂源极区和重掺杂漏极区对应，所述掩膜板的透光区和半透光区以外的部分形成为不透光区。