[发明专利]有机发光二极管阵列基板、制造方法及使用其的显示器在审
申请号: | 201510652328.6 | 申请日: | 2015-10-10 |
公开(公告)号: | CN105140247A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 许名宏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王静 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 阵列 制造 方法 使用 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及有机发光二极管阵列基板、有机发光二极管显示器及其制造方法。
背景技术
由于有机发光显示装置具有自发光的特性,因此不需要额外的光源,这对小型化及轻量化有利。另外,由于有机发光显示装置具有低功耗、高亮度及反应速度快等特性,作为下一代显示装置受到关注。有机发光显示装置包括阳极、有机发光层及阴极。从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子在有机发光层内结合形成激子(exciton),有机发光显示装置通过激子由激发态降到基态时产生的能量发光。有机发光层可由红色、绿色及蓝色的多个有机发光层组成。此时,红色、绿色及蓝色的多个有机发光层具有不同的发光效率,因此可以通过形成厚度相异的所述红色、绿色及蓝色的多个有机发光层,或者形成对应所述红色、绿色及蓝色的多个有机发光层且具有不同厚度的多个保护层,从而将所述红色、绿色及蓝色的多个有机发光层的发光效率调整成相同。
另一方面,为了应对显示器的开口率与寿命等问题,溶液制程的上发光显示架构被广泛地提出。然而在传统的显示架构中,封装制程造成较厚的盒厚,显示器的高反射率与显示色域等问题受到盖板上的黑矩阵与彩色滤光光阻影响,需要在设计上牺牲开口率或侧视显示品质。
具体地,由于封装制程造成较厚的盒厚,显示器在大视角出光时容易被黑矩阵(BM)遮挡,在有压合对位偏移时将造成左右视角的不对称与漏光问题。
在设计显示器的过程中,一般设计方法有两种:一种是加大BM宽度与遮光区域,缺点是会缩小开口率而对显示器寿命有影响;第二种是缩小BM宽度避免遮光,缺点是会有穿过其他子像素的少量漏光与显示器会呈较高的反射率(因BM区域缩小)。
发明内容
本发明的目的是解决或至少部分地缓解上述提及的问题和缺陷中的至少一个方面。
在本发明的一个方面中,提供了一种有机发光二极管阵列基板,包括:
衬底基板;
设置于所述衬底基板上的反射层;
设置于所述反射层上的光阻层;
设置于所述光阻层上的像素电极层。
在本发明的另一方面中,提供了一种有机发光二极管显示器,包括:
上述的有机发光二极管阵列基板;和
盖板组件。
在本发明的还一方面中,提供了一种有机发光二极管阵列基板的制造方法,其中所述有机发光二极管阵列基板是上述的有机发光二极管阵列基板,所述方法包括以下步骤:
在衬底基板上制作反射层;
在所述反射层上制作光阻层;
在光阻层上依次制作像素电极层、第二像素定义区、第一像素定义区,其中所述光阻层包括依次排布的红色、绿色和蓝色滤光光阻区,所述第一像素定义区设置在红色、绿色和蓝色滤光光阻区中相邻的两个或三个的交叠区域处,所述第二像素定义区位于对应的有机发光器件和对应的第一像素定义区之间;
在上述的有机发光二极管阵列基板上制作有机发光器件的有机发光层并在所述有机发光层上制作有机发光器件的电极层。
根据本发明的实施例的有机发光二极管阵列基板、有机发光二极管显示器及其制造方法中,由于在衬底基板(例如TFT阵列基板)上先制作反射区,并定义不同的彩色滤光光阻区,在彩色滤光光阻区的交叠区域上制作第一像素定义区,以增加其高度并降低该有机发光二极管显示器的反射率,同时避免了盖板上原有黑矩阵造成的产品开口率与视角光学的负面影响。
附图说明
本发明的这些和/或其他方面和优点从下面结合附图对优选实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是现有技术中的有机发光二极管显示器的结构示意图;
图2是图1显示的有机发光二极管显示器具有侧射光线时的示意图;
图3是根据本发明实施例的有机发光二极管显示器的结构示意图;
图4是根据本发明的另一实施例的有机发光二极管显示器中的有机发光器件的示意图。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图,对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中,相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释,而不应当理解为对本发明的一种限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的