[发明专利]有机发光二极管阵列基板、制造方法及使用其的显示器

权利要求书

1.一种有机发光二极管阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

设置于所述衬底基板上的反射层；

设置于所述反射层上的光阻层；

设置于所述光阻层上的像素电极层。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板，其中，所述光阻层包括多个依次排布的红色滤光光阻区、绿色滤光光阻区和蓝色滤光光阻区，所述红色、绿色和蓝色滤光光阻区中的任何相邻的两个彼此交叠或相邻的三个彼此交叠。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管阵列基板，其中，所述反射层包括多个间隔设置的由金属制成的反射区，每个反射区与所述像素电极层中的像素电极对应设置。

4.根据权利要求2所述的有机发光二极管阵列基板，其中，所述光阻层的厚度小于等于2微米。

5.根据权利要求3所述的有机发光二极管阵列基板，还包括：设置在所述像素电极层上的有机发光器件的有机发光层和设置在有机发光层上的有机发光器件的电极层。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管阵列基板，其中，所述像素电极层中的一个像素电极用作对应的有机发光器件的阳极，并且所述有机发光器件的电极层中的一个电极为对应的有机发光器件的阴极。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管阵列基板，其中，所述阳极是透明电极，所述阴极是半透半反电极或透明电极。

8.根据权利要求5所述的有机发光二极管阵列基板，其中，所述像素电极层中的一个像素电极用作对应的有机发光器件的阴极，并且所述有机发光器件的电极层中的一个电极为对应的有机发光器件的阳极。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管阵列基板，其中，所述阴极是透明电极，所述阳极是半透半反电极或透明电极。

10.根据权利要求5所述的有机发光二极管阵列基板，其中，所述有机发光器件包括多个依次排布的红色有机发光器件、绿色有机发光器件和蓝色有机发光器件，在每个交叠区域处设置有第一像素定义区，所述第一像素定义区与对应的有机发光器件之间设置有第二像素定义区。

11.根据权利要求5-10中任一项所述的有机发光二极管阵列基板，其中，所述像素电极层中的像素电极和对应的有机发光层之间设置有一金属薄膜层。

12.根据权利要求11所述的有机发光二极管阵列基板，其中，所述金属薄膜层由镁、铟或它们的组合制成。

13.一种有机发光二极管显示器，其特征在于，包括：

根据权利要求1-11中任一项所述的有机发光二极管阵列基板；和盖板组件。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中，所述盖板组件包括盖板和设置在盖板上与有机发光二极管阵列基板上的第一像素定义区相对应的位置的光阻隔件。

15.一种有机发光二极管阵列基板的制造方法，其中所述有机发光二极管阵列基板是根据权利要求1-12中任一项所述的有机发光二极管阵列基板，所述方法包括以下步骤：

在衬底基板上制作反射层；

在所述反射层上制作光阻层；

在光阻层上依次制作像素电极层、第二像素定义区、第一像素定义区，其中所述光阻层包括依次排布的红色、绿色和蓝色滤光光阻区，所述第一像素定义区设置在红色、绿色和蓝色滤光光阻区中相邻的两个或三个的交叠区域处，所述第二像素定义区位于对应的有机发光器件和对应的第一像素定义区之间；

在上述的有机发光二极管阵列基板上制作有机发光器件的有机发光层并在所述有机发光层上制作有机发光器件的电极层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在有机发光二极管阵列基板上制作所述有机发光层之后，制作一金属薄膜层再制作所述有机发光器件的电极层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，利用热蒸镀制作所述金属薄膜层，利用电子枪蒸镀或物理蒸镀制作所述有机发光器件的电极层。

18.根据权利要求15-17中任一项所述的方法，其中，所述有机发光器件由溶液制程、热蒸镀制程或它们的组合制造。