[发明专利]抛光处理装置、基板处理装置及抛光处理方法

说明书

本发明涉及抛光处理装置、基板处理装置及抛光处理方法，抑制基板的损伤并且进行研磨。或者高效率地清洗去除粘性较大的异物等。用于对基板进行抛光处理的抛光处理装置具备：抛光台，所述抛光台是用于支承基板的抛光台，并构成为能够旋转；及抛光头，所述抛光头能够安装用于对基板进行抛光处理的抛光垫。抛光头构成为能够旋转，并且构成为能够向接近抛光台的方向及远离抛光台的方向移动。用于向基板供给抛光处理用的处理液的内部供给线路形成于抛光头的内部。抛光处理装置还具备除所述内部供给线路以外另外设置的外部喷嘴，该外部喷嘴用于向基板供给处理液。

技术领域

本发明涉及基板的抛光处理技术。

背景技术

在半导体设备的制造中，已知对基板的表面进行研磨的化学机械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polishing)装置。具备CMP装置的基板处理系统具备用于进行基板的研磨处理的研磨单元(CMP单元)、用于进行基板的清洗处理及干燥处理的清洗单元及向研磨单元传递基板并且接收通过清洗单元而进行了清洗处理及干燥处理后的基板的装载/卸载单元等。在研磨单元中，在研磨台的上表面上贴有研磨垫，而形成研磨面。该研磨单元将由顶环保持的基板的被研磨面按压于研磨面，并一边向研磨面供给作为研磨液的浆料，一边使研磨台和顶环旋转。由此，研磨面与被研磨面滑动地相对移动，而被研磨面被研磨。此外，申请人提出了如下申请：在主要的研磨部以外还在CMP装置内设有精加工处理单元，所述精加工处理单元将比基板直径小的接触部件按压于研磨后的基板并使其相对运动，而对基板轻微地进行追加研磨或者清洗。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-50436号公报

专利文献2：日本特开平8-71511

发明内容

发明所要解决的课题

在上述以往的基板处理装置中，有时在研磨单元中作用于基板的机械性的作用力变大，难以抑制基板的损伤(瑕疵)地进行研磨。另外，在清洗单元中难以高效率地清洗去除粘性较大的异物等。另外，为了提高生产率，希望提高基板处理的生产量。

另外，在以往的精加工处理单元中，基板和与基板接触的接触部件的界面上未充分地供给处理液，例如无法充分提高研磨速度，另外，清洗的效果也有改善的余地。另外，希望减少处理液的消耗量。

用于解决课题的手段

本发明为了解决上述课题中的至少一部分而作出，能够作为以下的方式实现。

[技术方案1]

根据本发明的第一技术方案，提供用于对基板进行抛光处理的抛光处理装置。该抛光处理装置具备：抛光台，所述抛光台用于支承基板，并且构成为能够旋转；及抛光头，所述抛光头能够安装用于对基板进行抛光处理的抛光垫。抛光头构成为能够旋转，并且构成为能够向接近抛光台的方向及远离抛光台的方向移动。用于向基板供给抛光处理用的处理液的内部供给线路形成于抛光头的内部。抛光处理装置还具备除所述内部供给线路以外另外设置的外部喷嘴，该外部喷嘴用于向所述基板供给所述处理液。抛光处理装置还具备控制部，所述控制部构成为对所述抛光处理装置的动作进行控制。控制部构成为以如下方式对抛光处理装置进行控制：在抛光头接近抛光台直至用于使抛光垫与基板接触的接触位置的中途，从内部供给线路供给处理液。