[发明专利]一种U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构有效
| 申请号: | 201510650329.7 | 申请日: | 2015-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN105226366B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
| 发明(设计)人: | 李炳旭;喻新平;邓睿;饶郁;余聪;陶海玲;廖雪铭;许娟 | 申请(专利权)人: | 武汉中元通信股份有限公司 |
| 主分类号: | H01P5/18 | 分类号: | H01P5/18 |
| 代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 黄君军 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双定向耦合器 蛇形 镀银层 印制线 波段 敷铜 宽带 衰减补偿电路 安装定位孔 拓扑架构 单面板 三维 模块化结构 插入损耗 从上至下 介质基板 铆钉 体积小 朝上 叠层 驻波 衔接 | ||
1.一种U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构,包括有1张上带状PCB单面板(1)和1张下带状PCB双面板(2),从上至下依次通过设置有安装定位孔h1、安装定位孔h2,并经铆钉(3)紧密衔接,相结合构成一个叠层式模块化结构整体,其特征是:
a.所述下带状PCB双面板(2),上面又分别设置有第一上蛇形带状印制线(21)、第二上蛇形带状印制线(22)和第三上蛇形带状印制线(23)及第一衰减补偿电路(24)、第二衰减补偿电路(25)和第一敷铜镀银层(26),用以使正向耦合端口和反向耦合端口输出波动较小的射频功率;
所述下带状PCB双面板(2),下面设置有第二敷铜镀银层(27),用以射频接地;
b.所述上带状PCB单面板(1),朝上一面设置为第三敷铜镀银层(11);朝下一面为介质基板(12),且介质基板(12)与下带状PCB双面板(2)中的第一上蛇形带状印制线(21)、第二上蛇形带状印制线(22)和第三上蛇形带状印制线(23)及第一衰减补偿电路(24)、第二衰减补偿电路(25)和第一敷铜镀银层(26)相衔接,用以构成一个叠层式模块化结构整体;
所述上带状PCB单面板(1),上面又设置有开窗W1、开窗W2、开窗W3和开窗W4;开窗W1用以为贴片电阻R7提供安装空间,开窗W2用以为衰减补偿电路25的贴片电阻R4、贴片电阻R5、贴片电阻R6和贴片电容C2提供安装空间,开窗W3用以为贴片电阻R8提供安装空间,开窗W4用以为第一衰减补偿电路(24)的贴片电阻R1、贴片电阻R2、贴片电阻R3和贴片电容C1提供安装空间;
c.所述第一衰减补偿电路(24),又包括有贴片电阻R1、贴片电阻R2、贴片电阻R3和贴片电容C1,为T型电路结构;贴片电阻R1、贴片电阻R2同时与贴片电阻R3、贴片电容C1相交于C点;贴片电阻R1的A端,连接至第四 非耦合线(223);贴片电阻R2的B端,引出用作耦合器整体的反向耦合端口;贴片电阻R3、贴片电容C1,并联接第一敷铜镀银层(26),用以射频接地;
d.所述第二衰减补偿电路(25),又包括有贴片电阻R4、贴片电阻R5、贴片电阻R6和贴片电容C2,为T型电路结构;贴片电阻R4、贴片电阻R5同时与贴片电阻R6、贴片电容C2相交于C点;贴片电阻R4的A端,连接至第五 非耦合线(231);贴片电阻R5的B端,引出用作耦合器整体的正向耦合端口;贴片电阻R6、贴片电容C2,并联接第一敷铜镀银层(26),用以射频接地;
所述第二上蛇形带状印制线(22),又包括有第三非耦合线(221)、第二耦合线(222)和第四非耦合线(223);第三非耦合线(221),引出连接至50欧姆贴片电阻R7接第一敷铜镀银层(26);第四非耦合线(223),连接至第一衰减补偿电路(24),引出用作耦合器整体的反向耦合端口;第二耦合线(222),用以与带状印制线(21)的第一耦合线(212)相耦合;
所述第三上蛇形带状印制线(23),又包括有第五非耦合线(231)、第三耦合线(232)和第六非耦合线(233);第五非耦合线(231),连接至第二衰减补偿电路(25),引出用作耦合器整体的正向耦合端口;第六非耦合线(233),连接至50欧姆贴片电阻R8接第一敷铜镀银层(26);第三耦合线(232),用以与带状印制线(21)的第一耦合线(212)相耦合。
2.如权利要求1所述的U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构,其特征是:
所述第一上蛇形带状印制线(21)、第二上蛇形带状印制线(22)和第三上蛇形带状印制线(23)的耦合部分弯曲处设置为圆弧过渡,且圆弧的半径大于1.5倍弯曲带状印制线的线宽,用以减小阻抗不连续性,提高耦合器的整体性能。
3.如权利要求1所述的U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构,其特征是:
所述第一上蛇形带状印制线(21)、第二上蛇形带状印制线(22)和第三上蛇形带状印制线(23)的蛇形带状印制线弯曲次数为6处,用以减小阻抗不连续性,提高耦合器的整体性能。
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