[发明专利]一种白光有机发光二极管器件及制备方法有效
| 申请号： | 201510648418.8 | 申请日： | 2015-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105336872A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿;徐汀;缪景生;刘铭;贺超;王成群;李爱源 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 白光 有机 发光二极管 器件 制备 方法 | ||
1.一种白光有机发光二极管器件，其特征在于，包括自下而上设置的ITO阳极、空穴注入层、空穴传输电子阻挡层、光发射功能层、电子传输空穴阻挡层、电子注入层及铝阴极，其中，光发射功能层包括三层：第一层为超薄黄光荧光发光层，第二层为主体材料光色调控层，第三层为超薄蓝光荧光发光层。
2.根据权利要求1所述的白光有机发光二极管器件，其特征在于，所述超薄黄光荧光发光层的厚度为0.1～0.5nm。
3.根据权利要求1所述的白光有机发光二极管器件，其特征在于，所述主体材料光色调控层的厚度为5～20nm。
4.根据权利要求1所述的白光有机发光二极管器件，其特征在于，所述超薄蓝光荧光发光层的厚度为0.1～0.5nm。
5.根据权利要求1所述的白光有机发光二极管器件，其特征在于，所述超薄黄光荧光发光层采用TBRb材料制成。
6.根据权利要求1所述的白光有机发光二极管器件，其特征在于，所述主体材料光色调控层采用MADN材料制成。
7.根据权利要求1所述的白光有机发光二极管器件，其特征在于，所述超薄蓝光荧光发光层采用DSA-ph材料制成。
8.一种如权利要求1所述的白光有机发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、对ITO玻璃进行刻蚀和清洗作为ITO基底；
B、将ITO基底固定于镀膜仪器中，抽真空，然后按照器件结构依次在基底上镀膜，制得各个功能层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：
A1、使用清洗剂对ITO玻璃超声清洗；
A2、使用超纯水对ITO玻璃超声清洗；
A3、使用丙酮对ITO玻璃超声清洗；
A4、使用异丙醇对ITO玻璃超声清洗，然后用氮气吹干；
A5、最后采用紫外臭氧处理ITO玻璃表面。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B之后还包括：
C、采用玻璃盖板涂膜环氧树脂胶后覆盖在器件上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
