[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号: | 201510646811.3 | 申请日: | 2015-10-08 |
| 公开(公告)号: | CN105304559B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
| 发明(设计)人: | 张鹏举;李鑫;丁金波;刘汉青;赵斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L23/60;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 鞠永善 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
本发明是关于一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置,属于显示技术领域。所述方法包括:在衬底基板上形成第一金属图案;在形成有第一金属图案的衬底基板上形成绝缘层;在形成有绝缘层的衬底基板的外围区域形成静电屏蔽层;在形成有静电屏蔽层的衬底基板的外围区域形成外围区域金属层;在外围区域金属层和静电屏蔽层上,通过构图工艺形成外围图案。本发明通过在外围区域形成静电屏蔽层,之后在外围区域的静电屏蔽层上形成金属层,解决了相关技术中外围区域的金属层在形成时可能和第一金属图案产生ESD而破坏阵列基板上的电路,产品良率较低的问题;达到了避免外围区域的金属层在形成时和第一金属图案产生ESD的效果,提高了产品良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置。
背景技术
阵列基板是显示装置的重要组成部分,阵列基板通常包括衬底基板以及形成于衬底基板上的各种膜层结构。
相关技术中有一种阵列基板的制造方法,该方法首先在衬底基板上形成第一金属图案,之后在形成有第一金属图案的衬底基板上依次形成绝缘层、半导体层和第二金属图案。
发明人在实现本发明的过程中,发现上述方式至少存在如下缺陷:上述方法在形成用于形成第二金属图案的金属层的过程中,由于外围区域的第一金属图案可能排布不均匀(如信号线的排布可能不均匀),外围区域的金属层在形成时可能和外围区域的第一金属图案产生ESD(Electro-Static discharge,静电释放)而破坏阵列基板上的电路,产品良率较低。
发明内容
为了解决相关技术中外围区域的金属层在形成时可能和第一金属图案产生ESD而破坏阵列基板上的电路,产品良率较低的问题,本发明提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置。所述技术方案如下:
根据本发明的第一方面,提供一种阵列基板的制造方法,所述方法包括:
在衬底基板上形成第一金属图案;
在形成有所述第一金属图案的衬底基板上形成绝缘层;
在形成有所述绝缘层的衬底基板的外围区域形成静电屏蔽层;
在形成有所述静电屏蔽层的衬底基板的外围区域形成外围区域金属层;
在所述外围区域金属层和所述静电屏蔽层上,通过构图工艺形成外围图案,所述外围图案的形状与所述外围区域的金属图案的形状相同。
可选的,所述在形成有所述第一金属图案的衬底基板上形成绝缘层之后,所述方法还包括:
在形成有所述绝缘层的衬底基板的显示区域形成透明导电膜层;
在形成有所述透明导电膜层的衬底基板的显示区域形成金属层;
在所述透明导电膜层和所述金属层上,通过构图工艺形成第一图案,所述第一图案在所述衬底基板上的正投影与金属电极在所述衬底基板上的正投影的形状相同,所述金属电极包括源极、漏极和像素电极;
在形成所述第一图案的金属层上,通过构图工艺形成包括所述漏极的图案。
可选的,形成有所述绝缘层的衬底基板的显示区域形成有静电屏蔽层,所述显示区域的静电屏蔽层和所述外围区域的静电屏蔽层是同时形成的透明导电膜层,
所述在形成有所述静电屏蔽层的衬底基板的外围区域形成外围区域金属层,包括:
在形成有所述透明导电膜层的衬底基板上形成金属层;
所述在所述外围区域金属层和所述静电屏蔽层上,通过构图工艺形成外围图案,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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