[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号: | 201510646811.3 | 申请日: | 2015-10-08 |
| 公开(公告)号: | CN105304559B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
| 发明(设计)人: | 张鹏举;李鑫;丁金波;刘汉青;赵斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L23/60;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 鞠永善 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上形成第一金属图案;
在形成有所述第一金属图案的衬底基板上形成绝缘层;
在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成包括半导体层的图案;
在形成有所述半导体层的衬底基板的显示区域形成透明导电膜层;
在形成有所述透明导电膜层的衬底基板的显示区域形成金属层;
在所述透明导电膜层和所述金属层上,通过构图工艺形成第一图案,所述第一图案在所述衬底基板上的正投影与金属电极在所述衬底基板上的正投影的形状相同,所述金属电极包括源极、漏极和像素电极;
在形成所述第一图案的金属层上,通过构图工艺形成包括所述漏极的图案;
在形成有所述绝缘层的衬底基板的外围区域形成静电屏蔽层,形成有所述绝缘层的衬底基板的显示区域形成有像素电极,所述静电屏蔽层和所述像素电极是在一次构图工艺中形成的;
在形成有所述静电屏蔽层的衬底基板的外围区域形成外围区域金属层;
在所述外围区域金属层和所述静电屏蔽层上,通过构图工艺形成外围图案,所述外围图案的形状与所述外围区域的金属图案的形状相同。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成有所述绝缘层的衬底基板的显示区域形成有静电屏蔽层,所述显示区域的静电屏蔽层和所述外围区域的静电屏蔽层是同时形成的透明导电膜层,
所述在形成有所述静电屏蔽层的衬底基板的外围区域形成外围区域金属层,包括:
在形成有所述透明导电膜层的衬底基板上形成金属层;
所述在所述外围区域金属层和所述静电屏蔽层上,通过构图工艺形成外围图案,包括:
在所述金属层和所述透明导电膜层上,通过构图工艺形成第二图案,所述第二图案在所述衬底基板上的正投影与预设金属图案在所述衬底基板上的正投影的形状相同,所述预设金属图案包括源极、漏极、像素电极和所述外围区域的金属图案;
在形成所述第二图案的金属层上,通过构图工艺形成包括所述漏极的图案。
3.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底基板;
所述衬底基板上设置有第一金属图案;
所述第一金属图案的衬底基板上设置有绝缘层;
设置有所述绝缘层的衬底基板上设置有包括半导体层的图案;
所述半导体层的衬底基板的显示区域设置有形状与第一图案相同的透明导电膜层,所述第一图案在所述衬底基板上的正投影与金属电极在所述衬底基板上的正投影的形状相同,所述金属电极包括源极、漏极和像素电极;
所述形状与第一图案相同的透明导电膜层的衬底基板的所述显示区域设置有所述源极和所述漏极;
所述绝缘层的衬底基板的外围区域依次设置有静电屏蔽层和外围区域金属层,所述外围区域金属层的图案和所述静电屏蔽层的图案相同,所述静电屏蔽层为透明导电膜层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
所述衬底基板上设置有形状与第二图案相同的透明导电膜层,所述第二图案在所述衬底基板上的正投影与预设金属图案在所述衬底基板上的正投影的形状相同,所述预设金属图案包括源极、漏极、像素电极和所述外围区域金属层;
所述形状与第二图案相同的透明导电膜层的衬底基板上设置有所述源极、所述漏极和所述外围区域金属层。
5.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求3或4所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





