[发明专利]掩模板及其制备方法在审
申请号: | 201510640313.8 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN105116682A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 陈曦;毛国琪;刘明悬;刘正;张治超;张小祥 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/76;G02F1/153;G02F1/155;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模板 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种掩模板及其制备方法。
背景技术
在制备显示面板的工艺过程中,需要进行多次曝光工艺。曝光工艺中需要使用掩模板,借助掩模板上的图案,形成透光区和非透光区(有时还包括半透光区),使透光区和非透光区所对应的光刻胶/封框胶具有不同的特性,从而通过刻蚀,形成具有相应形状的图形。
可以理解,在不同的曝光工艺中,掩模板上的图案会有不同;以及,对于不同产品,其制备工艺中所需的掩模板上的图案也会有不同。这样在制备显示面板时,针对不同图形(如薄膜晶体管的源极、有源层、源漏极,以及像素电极等图形)的制备,需要准备不同的掩模板;同时,在产线生成不同尺寸和不同型号的产品时,也不要针对不同的产品准备不同的掩模板,这样就需要制备大量的掩模板,从而会耗费大量的资源和成本,同时,大量的掩模板的储存也会占用大量的场地空间以及其他资源。此外,在制备工艺中,更换掩模板也会占用大量的时间,这样会降低产线的生产效率。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种掩模板及其制备方法,其可以使多次曝光工艺中,无需更换掩模板,省去更换掩模板的时间,同时,还无需制备大量的掩模板。
为实现本发明的目的而提供一种掩模板,其包括多层图案单元,且任意两层图案单元之间绝缘;每层图案单元与一个电极单元连接,且每个电极单元仅与一层图案单元连接;每层图案单元包括第一透明电极层、第二透明电极层和设置在其二者之间的电致变色层;所述电极单元向与其连接的图案单元中的第一透明电极层和第二透明电极层中的至少一个施加电压,使其二者之间的电致变色层的透光率改变。
其中,所述掩模板包括透明基底,所述多层图案单元依次叠置在所述透明基底上;每两相邻图案单元之间设置有绝缘层。
其中,所述掩模板的上表面设置有多个导电端子;每个所述导电端子与一个电极单元对应的连接,且通过贯穿一层或多层图案单元的导电层和与所述电极单元对应的图案单元连接。
其中,每层图案单元还包括透明基底,所述第一透明电极层、电致变色层、第二透明电极层依次设置在所述透明基底上。
其中,每层图案单元通过一个导电端子与其对应的电极单元连接;每层图案单元所连接的导电端子位于该层图案单元的透明基底和位于该层图案单元上方的图案单元的透明基底之间。
其中,所述电致变色层在所述电极单元未向第一透明电极层和/或第二透明电极层上施加电压时为透明,在所述电极单元向第一透明电极层和/或第二透明电极层上施加电压时,其透光率降低。
本发明还提供一种掩模板的制备方法,其包括:
S1,在透明基底上形成第一透明电极层的图形;
S2,在第一透明电极层上形成电致变色层的图形;
S3,在所述电致变色层上形成第二透明电极层的图形;
S4,形成将所述第二透明电极层覆盖的绝缘层;
S5,重复步骤S1~S4,形成多层图案单元;
S6,形成贯穿多层图案单元的第一透明电极层和/或第二透明电极层的过孔;
S7,形成导电端子的图形。
其中,所述掩模板的制备方法还包括:
形成对位标识的图形的步骤。
其中,所述掩模板的制备方法还包括:
在形成对位标识的图形后,形成保护层的步骤。
其中,形成对位标识的图形的步骤在步骤S1之前进行。
本发明还提供另一种掩模板的制备方法,其包括:
S1,在透明基底上形成第一透明电极层的图形;
S2,在第一透明电极层上形成电致变色层的图形;
S3,在所述电致变色层上形成第二透明电极层的图形;
S4,形成导电端子的图形;
S5,在导电端子上设置另一透明基底;
S6,重复S1~S5,形成多层图案单元。
其中,所述步骤S4包括:
在第二透明电极层上形成导电端子的图形。
其中,所述步骤S4包括:
S41,形成绝缘层的图形;
S42,形成贯穿所述绝缘层的过孔的图形;
S43,形成与第一透明电极层连通的导电端子的图形。
本发明具有以下有益效果:
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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