[发明专利]掩模板及其制备方法在审
申请号: | 201510640313.8 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN105116682A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 陈曦;毛国琪;刘明悬;刘正;张治超;张小祥 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/76;G02F1/153;G02F1/155;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模板 及其 制备 方法 | ||
1.一种掩模板,其特征在于,包括多层图案单元,且任意两层图案单元之间绝缘;每层图案单元与一个电极单元连接,且每个电极单元仅与一层图案单元连接;
每层图案单元包括第一透明电极层、第二透明电极层和设置在其二者之间的电致变色层;
所述电极单元向与其连接的图案单元中的第一透明电极层和第二透明电极层中的至少一个施加电压,使其二者之间的电致变色层的透光率改变。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述掩模板包括透明基底,所述多层图案单元依次叠置在所述透明基底上;每两相邻图案单元之间设置有绝缘层。
3.根据权利要求2所述的掩模板,其特征在于,所述掩模板的上表面设置有多个导电端子;每个所述导电端子与一个电极单元对应的连接,且通过贯穿一层或多层图案单元的导电层和与所述电极单元对应的图案单元连接。
4.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,每层图案单元还包括透明基底,所述第一透明电极层、电致变色层、第二透明电极层依次设置在所述透明基底上。
5.根据权利要求4所述的掩模板,其特征在于,每层图案单元通过一个导电端子与其对应的电极单元连接;
每层图案单元所连接的导电端子位于该层图案单元的透明基底和位于该层图案单元上方的图案单元的透明基底之间。
6.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述电致变色层在所述电极单元未向第一透明电极层和/或第二透明电极层上施加电压时为透明,在所述电极单元向第一透明电极层和/或第二透明电极层上施加电压时,其透光率降低。
7.一种掩模板的制备方法,其特征在于,包括:
S1,在透明基底上形成第一透明电极层的图形;
S2,在第一透明电极层上形成电致变色层的图形;
S3,在所述电致变色层上形成第二透明电极层的图形;
S4,形成将所述第二透明电极层覆盖的绝缘层;
S5,重复步骤S1~S4,形成多层图案单元;
S6,形成贯穿多层图案单元的第一透明电极层和/或第二透明电极层的过孔;
S7,形成导电端子的图形。
8.根据权利要求7所述的掩模板的制备方法,其特征在于,所述掩模板的制备方法还包括:
形成对位标识的图形的步骤。
9.根据权利要求8所述的掩模板的制备方法,其特征在于,所述掩模板的制备方法还包括:
在形成对位标识的图形后,形成保护层的步骤。
10.根据权利要求8或9所述的掩模板的制备方法,其特征在于,形成对位标识的图形的步骤在步骤S1之前进行。
11.一种掩模板的制备方法,其特征在于,包括:
S1,在透明基底上形成第一透明电极层的图形;
S2,在第一透明电极层上形成电致变色层的图形;
S3,在所述电致变色层上形成第二透明电极层的图形;
S4,形成导电端子的图形;
S5,在导电端子上设置另一透明基底;
S6,重复S1~S5,形成多层图案单元。
12.根据权利要求11所述的掩模板的制备方法,其特征在于,所述步骤S4包括:
在第二透明电极层上形成导电端子的图形。
13.根据权利要求11所述的掩模板的制备方法,其特征在于,所述步骤S4包括:
S41,形成绝缘层的图形;
S42,形成贯穿所述绝缘层的过孔的图形;
S43,形成与第一透明电极层连通的导电端子的图形。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备