[发明专利]一种仿基底膜管结构的神经缺损修复材料的制备方法有效
| 申请号: | 201510639623.8 | 申请日: | 2015-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN105288730B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
| 发明(设计)人: | 彭江;全琦;孟昊业;王玉;袁振亚;尹合勇;郑裕东;汪爱媛;卢世璧;郭全义;刘舒云;朱昀;苌彪;许文静;赵喆;赵庆 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军总医院;北京申佑生物科技有限公司 |
| 主分类号: | A61L27/18 | 分类号: | A61L27/18;A61L27/16;A61L27/22;A61L27/36;A61L27/24;A61L27/20;A61L27/56 |
| 代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 余长江 |
| 地址: | 100039*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基底 结构 神经 缺损 修复 材料 制备 方法 | ||
1.一种仿基底膜管结构的神经缺损修复材料的制备方法,包括以下步骤:
1)室温条件下,将高分子材料与天然源性材料加入有机溶剂,配制成电纺丝原液;
2)制备微管模型;
3)将制备好的电纺丝原液分层喷涂至微管模型的底层和表层,制备具有微管结构的薄膜,室温干燥后,将具有微管结构的薄膜,垂直于取向排列方向,即垂直于微管模型方向,采取滚动卷曲方式,形成管状结构;
4)去除管状结构中的微管模型;
5)三蒸水漂洗并冷冻干燥,获得最终成型的神经缺损修复材料。
2.如权利要求1所述的仿基底膜管结构的神经缺损修复材料的制备方法,其特征在于,步骤1)中配制成的电纺丝原液的质量百分浓度为4%~16%。
3.如权利要求1所述的仿基底膜管结构的神经缺损修复材料的制备方法,其特征在于,步骤1)中,所述高分子材料选自聚已内酯、聚己内酯/左旋聚乳酸、聚乳酸-羟基乙酸共聚物、聚乙烯醇、蚕丝蛋白/聚环氧乙烷、聚乳酸中的一种或多种,所述天然源性材料包括细胞外基质干粉、胶原、明胶、NGF、壳聚糖、甲壳素;所述有机溶剂选自二氯甲烷、三氯甲烷、六氟异丙醇、四氟乙烯、碳酸二甲酯、丙酮、乙酸、二甲基亚砜、四氢呋喃、二甲基甲酰胺中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的仿基底膜管结构的神经缺损修复材料的制备方法,其特征在于,步骤2)中,所述微管模型包括可溶型微管模型和不可溶型微管模型。
5.如权利要求4所述的仿基底膜管结构的神经缺损修复材料的制备方法,其特征在于,所述可溶型微管模型的原料包括PVA、蚕丝蛋白/聚环氧乙烷、聚乙二醇、聚内消旋乳酸;所述不可溶型微管模型的原料包括金属丝、聚合纤维丝。
6.如权利要求1所述的仿基底膜管结构的神经缺损修复材料的制备方法,其特征在于,步骤3)中,所述微管模型复合1~3层薄膜,制备方式如下:先喷涂一层电纺丝原液形成底膜后,附加上微管模型,再喷涂上电纺丝原液,得到一层包含微管模型的薄膜,然后重复或不重复如下步骤:再附加一层微管模型,再喷涂电纺丝原液,最终形成1~3层包含微管模型的薄膜;所述薄膜的总厚度为0.05mm~1mm。
7.如权利要求1所述的仿基底膜管结构的神经缺损修复材料的制备方法,其特征在于,步骤3)中,采用收集滚轴或带电金属梳将制备好的电纺丝原液分层喷涂至微管模型的底层和表层。
8.如权利要求7所述的仿基底膜管结构的神经缺损修复材料的制备方法,其特征在于,采用收集滚轴制备具有微管结构的薄膜的步骤包括:
将收集滚轴调速至低转速,调整电压,针头前方形成泰勒锥,使电纺丝均匀喷出,形成无规则的底膜,膜厚度0.1mm;之后再将收集滚轴调整成高转速,收集厚度为0.1mm的高取向薄膜;固定微管模型,再次喷涂电纺丝,厚度0.1mm,连带铝箔,小心取下;所述收集滚轴定速调速至线速度0.5~9m/min,5~15kV正电压加于针头,-2~-12kV电压加于收集器,推注速度:10~40μL/min,喷射针头到收集器之间的距离为5~20cm,温度:-20~40℃,湿度:40%以下。
9.如权利要求4所述的仿基底膜管结构的神经缺损修复材料的制备方法,其特征在于,步骤5)中,所述微管模型为可溶型微管模型时,将管状结构放入水中,温和震荡3~12小时,去除可溶于水的微管模型;所述微管模型为不可溶型微管模型时,在显微镜下,直接抽除微管模型。
10.如权利要求1所述的仿基底膜管结构的神经缺损修复材料的制备方法,其特征在于,还包括:将步骤5)获得的神经缺损修复材料真空包装,40~250万拉德γ射线辐照灭菌,4℃保存。
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