[发明专利]一种OLED器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种OLED器件及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)的外量子效率(ηext)是指出射到器件外部的光子总数与注入的电子空穴对数之比，是衡量OLED发光性能的重要参数之一，可以用公式η_ext＝γ.γ_st.q.χ表示。其中，光输出耦合因子χ是影响η_ext的一个重要参量，如何最大程度地提高光取出，增加透射光是OLED的研究重点。

目前，能够比较有效地增加光取出的方法有，图案化基底，增加微透镜，微腔共振技术等，其中图案化基底和增加微透镜的方法工艺复杂，制作成本高，量产的可能比较小。微腔共振技术是一种比较有效的方法，一般是在采用顶发射微腔共振技术的基础上，通过热蒸发的方式蒸镀一层有机光取出层，现有技术所采用的这种有机材料的分子结构都是平面型的，受制于这种有机材料折射率(约1.7)和厚度的限制，单独采用平面型分子结构的有机材料作为光取出层对于提升OLED光取出效率是有限的。

发明内容

针对上述存在的问题，本发明公开一种OLED器件，包括：

TFT阵列基板；

阳极层，位于所述TFT阵列基板之上；

发光层，位于所述阳极层之上；

阴极层，位于所述发光层之上；以及

光取出层，位于所述阴极层之上；

其中，所述光取出层的材质包括球形分子材料。

上述的OLED器件，其中，所述光取出层的材质为C70或C60。

上述的OLED器件，其中，所述光取出层形成有若干微纳结构。

上述的OLED器件，其中，所述阴极层为半透明金属电极层。

上述的OLED器件，其中，所述OLED器件还包括：

空穴传输层，位于所述阳极层与所述发光层之间；

电子传输层，位于所述发光层与所述阴极层之间。

上述的OLED器件，其中，所述OLED器件还包括：

空穴注入层，位于所述阳极层与所述空穴传输层之间；

电子注入层，位于所述电子传输层与所述阴极层之间。

上述任意一项的OLED器件，其中，所述光取出层的厚度为

本发明还公开了一种OLED器件的制备方法，所述方法包括：

提供一TFT阵列基板；

于所述TFT阵列基板上按照从下至上的顺序依次形成阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；

于所述阴极层之上形成光取出层以将所述阴极层的上表面予以覆盖；

其中，所述光取出层的材质包括球形分子材料。

上述的OLED器件的制备方法，其中，所述光取出层的材质为C70或C60。

上述的OLED器件的制备方法，其中，所述光取出层形成有若干微纳结构。

上述的OLED器件的制备方法，其中，通过热蒸发的方式于所述阴极层之上形成所述光取出层。

上述的OLED器件的制备方法，其中，所述光取出层的厚度为

上述发明具有如下优点或者有益效果：

本发明公开了一种OLED器件及其制备方法，通过在阴极层上面蒸镀一层球形分子材料形成的光取出层，由于球形分子的特殊结构，使得其在阴极层上沉积时会形成一种精细的微纳结构，这种精细的微纳结构类似于微透镜或者是具有诸多微球的散射层，因此该光取出层能够减少OLED器件出光的全反射，提升光取出率，增强OLED器件发光性能。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1是本发明实施例中OLED器件的结构示意图；

图2是C70分子结构示意图；

图3是本发明实施例中光取出层增加光取出率的原理示意图；

图4是本发明实施例中OLED器件的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。

实施例一：

本发明公开了一种OLED器件，包括：TFT阵列基板、位于TFT阵列基板之上的阳极层、位于阳极层之上的发光层、位于发光层之上的阴极层以及位于阴极层之上的光取出层；其中，该光取出层的材质包括球形分子材料。