[发明专利]一种OLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510627253.6 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105206648A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 余磊;李艳虎;林信志 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201506 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED器件，其特征在于，包括：
TFT阵列基板；
阳极层，位于所述TFT阵列基板之上；
发光层，位于所述阳极层之上；
阴极层，位于所述发光层之上；以及
光取出层，位于所述阴极层之上；
其中，所述光取出层的材质包括球形分子材料。
2.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述光取出层的材质为C70或C60。
3.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述光取出层形成有若干微纳结构。
4.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述阴极层为半透明金属电极层。
5.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件还包括：
空穴传输层，位于所述阳极层与所述发光层之间；
电子传输层，位于所述发光层与所述阴极层之间。
6.如权利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件还包括：
空穴注入层，位于所述阳极层与所述空穴传输层之间；
电子注入层，位于所述电子传输层与所述阴极层之间。
7.如权利要求1～6中任意一项所述的OLED器件，其特征在于，所述光取出层的厚度为
8.一种OLED器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一TFT阵列基板；
于所述TFT阵列基板上按照从下至上的顺序依次形成阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；
于所述阴极层之上形成光取出层以将所述阴极层的上表面予以覆盖；
其中，所述光取出层的材质包括球形分子材料。
9.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，所述光取出层的材质为C70或C60。
10.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，所述光取出层形成有若干微纳结构。
11.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，通过热蒸发的方式于所述阴极层之上形成所述光取出层。
12.如权利要求8-11任一项所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，所述光取出层的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
