[发明专利]一种脱毒马铃薯试管苗的继代培养方法在审
| 申请号: | 201510627091.6 | 申请日: | 2015-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN105145367A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
| 发明(设计)人: | 胡小兰;刘刚 | 申请(专利权)人: | 天津市天兴佳业科技有限公司 |
| 主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人: | 李纳 |
| 地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 脱毒 马铃薯 试管 培养 方法 | ||
1.一种脱毒马铃薯试管苗的继代培养方法,包括品种选择、培养基的配制、灭菌、接种、继代培养过程,其特征在于:所述脱毒马铃薯试管苗在夏季的继代培养过程中,通过调节日间和夜间的日光灯的开关时间,控制培养室室内温度平衡,日间培养室的温度保持在23-25℃,夜间培养室的温度保持在16-17℃;其中所述日光灯每天18:00-19:00开启,次日早晨7:00-8:00关闭。
2.根据权利要求1所述的一种脱毒马铃薯试管苗的继代培养方法,其特征在于:所述脱毒马铃薯试管苗在继代培养过程中的光照时间为14-15个小时/天。
3.根据权利要求1或2所述的一种脱毒马铃薯试管苗的继代培养方法,其特征在于:所述脱毒马铃薯试管苗的继代培养周期为24-28天。
4.根据权利要求3所述的一种脱毒马铃薯试管苗的继代培养方法,其特征在于:所述脱毒马铃薯试管苗的继代培养过程中的光照强度为3000-5000Lx。
5.根据权利要求4所述的一种脱毒马铃薯试管苗的继代培养方法,其特征在于:所述脱毒马铃薯试管苗的培养基为MS培养基。
6.根据权利要求5所述的一种脱毒马铃薯试管苗的继代培养方法,其特征在于:所述MS培养基中添加0.2mg/L的NAA。
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