[发明专利]用于BEOL热管理的散热器的集成

说明书

本发明涉及用于BEOL热管理的散热器的集成。一种微电子装置(100)，包括组件(104)的电极(114)和电极(116)上的散热器层(118)和散热器层(120)以及散热器层(118)和散热器层(120)上的金属互连件(122)和金属互连件(124)。散热器层(118)和散热器层(120)被布置在半导体装置(100)的基板(102)的顶表面上方。散热器层(118)和散热器层(120)的厚度为100纳米至3微米，具有至少150瓦/(米·开尔文)的面向热导率以及小于100微欧姆·厘米的电阻率。

技术领域

本发明涉及微电子装置领域。更具体地，本发明涉及微电子装置中的热管理结构。

背景技术

具有局部发热组件的半导体装置经历热点，这会导致降低的可靠性。去除热量同时保持期望的成本和结构形式因素已经成为问题。

发明内容

下面提供简单的概述以提供对本发明的一个或更多方面的基本理解。此概述不是本发明的广泛综述，并且并不旨在确定本发明的关键或重要元素，也不旨在描绘其范围。相反，该概述的主要目的是以简化的形式呈现本发明的一些概念，作为之后呈现的具体实施方式的前序。

一种微电子装置包括组件的电极上的散热器层和散热器层上的金属互连件。散热器层被布置在半导体装置的基板的顶表面上方。散热器层的厚度为100纳米至3微米、具有至少150瓦特/(米·开尔文)的面向热导率以及小于100微欧姆·厘米的电阻率。

附图说明

图1是包括散热器层的一个示例性微电子装置的截面。

图2是包括散热器层的另一个示例性微电子装置的截面。

图3是包括散热器层的一个进一步示例性微电子装置的截面。

图4是包括散热器层的另一个示例性微电子装置的截面。

图5描绘用于在微电子装置上形成散热器层的一个示例性方法。

图6A和图6B描绘用于在微电子装置上形成散热器层的另一个示例性方法。

图7A和图7B描绘用于在微电子装置中图案化散热器层的一个示例性方法。

图8描绘用于在微电子装置上形成散热器层的一个进一步示例性方法。

图9是包括散热器层的一个进一步示例性微电子装置的截面。

图10描绘图案化的散热器层的示例性构型。

具体实施方式

下列未决专利申请是相关的并且通过引用纳入本文：美国专利申请12/xxx,xxx(德州仪器案卷号TI-73379与此申请同时提交)。

参照附图描述本发明。这些附图不是按比例绘制的并且提供它们仅为了说明本发明。以下参照用于说明的多个示例性应用描述本发明的一些方面。应当理解，阐述许多具体细节、关系和方法以提供对本发明的理解。然而，相关领域的技术人员将容易理解，能够在没有这些具体细节中的一个或更多或者使用其他方法来实现本发明。在其他实例中，没有详细示出已知结构或操作以避免混淆本发明。本发明不受所示的动作或者事件的顺序所限制，因为某些动作可以以不同的顺序发生和/或与其他动作或者事件同时发生。此外，并不要求所有示出的动作或者事件实现根据本发明的方法。