[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明一般涉及显示技术领域。更具体地，本发明涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着薄膜场效应晶体管液晶显示（TFT-LCD）技术的发展和工业技术的进步，液晶显示器的生产成本持续降低并且制造工艺日益完善，因而已经取代阴极射线管显示器而成为平板显示领域中的主流技术。TFT-LCD显示器因其本身所具有的体积小、功耗低、无辐射等优点而成为理想的显示装置。

目前，TFT-LCD按照显示模式可以分为：扭曲向列（TN，TwistedNematic）类型、平面转换（IPS，InPlaneSwitching）类型和高级超维场开关（ADS，AdvancedSuperDimensionSwitch）类型。其中，ADS类型TFT-LCD通常通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场来形成多维电场，使得在液晶盒内的狭缝电极之间和电极正上方的所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并且增大了透光效率。ADS技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，使得显示装置具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（pushMura）等优点。

图1图示了现有技术ADS型阵列基板的横截面示意图。如图1所示，从下至上，阵列基板依次包括同层布置的像素电极3、薄膜晶体管的栅极和公共电极线图形（未示出）、栅极绝缘层7、钝化层8、薄膜晶体管的源极、漏极和数据线图形5，以及公共电极2。相应地，现有ADS型阵列基板的制作方法一般包括：在透明基板上形成同层布置的像素电极、薄膜晶体管的栅极和公共电极线图形；形成栅极绝缘层；形成有源层图形；形成薄膜晶体管的源极、漏极和数据线图形；形成钝化层；以及在钝化层上方形成公共电极。

图1中所示的阵列基板中所存在的问题在于，如图2所示，与薄膜晶体管的栅极1同层布置的公共电极线4和像素电极3二者连接不同的信号线，因此在二者之间需要存在一定间隔d以保证公共电极线4和像素电极3中的信号之间没有串扰。公共电极线4和像素电极3之间的间隔降低了对应部分的液晶的工作效率，进而降低了像素的透过率。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种使用在ADS类型TFT-LED中的阵列基板及其制作方法，其能够至少部分地缓解或消除现有技术中所存在的问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种阵列基板，包括多条栅线、与多条栅线交叉的多条数据线以及由多条栅线和多条数据线交叉定义的多个像素单元，每一个像素单元包括薄膜晶体管、栅极绝缘层、布置在栅极绝缘层一侧上的钝化层、像素电极和公共电极，其中薄膜晶体管的源极和漏极布置钝化层与栅极绝缘层之间，公共电极布置在与钝化层相对的栅极绝缘层的另一侧上，像素电极布置在钝化层上。

相比于上述现有技术中的阵列基板，在本发明所提供的阵列基板中，通过将像素电极和公共电极的位置互换，像素电极与公共电极线不再同层布置，因此消除了在像素电极与公共电极线之间设置间隔以保证二者之间没有串扰的需要。所述间隔的消除提升了液晶的工作效率，进而提升了像素的透过率。

根据一个实施例，上述阵列基板还可以包括与像素电极同层布置并且位于数据线上方的屏蔽电极。

在向数据线施加电压的情况下，由数据线产生的电场会导致数据线上方及两侧的液晶分子无法有效偏转，从而造成漏光的问题。为了解决这一问题，可以在数据线上方形成屏蔽电极，用于屏蔽数据线所产生的电场，从而防止该电场影响液晶分子的有效偏转。发明人已经发现，相比于在没有屏蔽电极的情况下的至少18-28μm宽的黑矩阵，在存在屏蔽电极的情况下，黑矩阵的宽度可以减小到6-8μm，从而极大地提高显示装置的开口率。

根据另一实施例，公共电极可以具有矩阵结构，所述公共电极包括多个子公共电极，并且每一个像素单元对应于一个子公共电极。可选地，公共电极的矩阵结构在垂直于数据线的方向上通过公共电极线连接，公共电极与公共电极线直接接触电连接。并且可选地，公共电极的矩阵结构在平行于数据线的方向上通过连接电极连接，所述连接电极与公共电极设置于不同层，并且所述连接电极分别与相邻的子公共电极通过过孔连接。具体地，所述过孔制作在栅极绝缘层和钝化层中。

根据一个实施例，屏蔽电极在垂直于数据线的方向上通过屏蔽电极连接线相互连接，其中屏蔽电极与屏蔽电极连接线由相同材料形成。