[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号: | 201510625592.0 | 申请日: | 2015-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN105185791A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
| 发明(设计)人: | 田允允;崔贤植;严允晟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孙之刚;景军平 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括多条栅线、与多条栅线交叉的多条数据线、以及由多条栅线和多条数据线交叉定义的多个像素单元,每一个像素单元包括薄膜晶体管、栅极绝缘层、布置在栅极绝缘层一侧上的钝化层、像素电极和公共电极,其中薄膜晶体管的源极和漏极布置钝化层与栅极绝缘层之间,公共电极布置在与钝化层相对的栅极绝缘层的另一侧上,像素电极布置在钝化层上,其中所述阵列基板还包括与像素电极同层布置并且位于数据线上方的屏蔽电极。
2.权利要求1的阵列基板,其中公共电极具有矩阵结构,所述公共电极包括多个子公共电极,并且每一个像素单元对应于一个子公共电极。
3.权利要求2的阵列基板,其中公共电极的矩阵结构在垂直于数据线的方向上通过公共电极线连接,公共电极与公共电极线直接接触电连接。
4.权利要求3的阵列基板,其中公共电极的矩阵结构在平行于数据线的方向上通过连接电极连接,所述连接电极与所述公共电极设置于不同层,并且所述连接电极分别与相邻的子公共电极通过过孔连接。
5.权利要求1的阵列基板,其中屏蔽电极在垂直于数据线的方向上,通过屏蔽电极连接线相互连接,其中屏蔽电极与屏蔽电极连接线由相同材料形成。
6.权利要求1的阵列基板,其中屏蔽电极和公共电极连接相同的公共电极线。
7.权利要求1的阵列基板,其中屏蔽电极与公共电极相互电绝缘,并且连接不同的公共电极线。
8.权利要求1的阵列基板,其中阵列基板还包括与像素电极对应的像素金属电极,在像素电极和像素金属电极之间存在绝缘层,并且像素电极与像素金属电极通过绝缘层中的过孔相互连接。
9.权利要求1的阵列基板,其中像素电极为狭缝电极,并且公共电极为板状电极。
10.一种显示装置,包括如权利要求1-9中任一项所述的阵列基板。
11.一种用于制作阵列基板的方法,包括以下步骤:
在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的栅极、公共电极和公共电极线的图形;
形成栅极绝缘层;
形成薄膜晶体管的有源层;
形成包括薄膜晶体管的源极、漏极和数据线的图形;
形成钝化层,其中薄膜晶体管的源极和漏极布置钝化层与栅极绝缘层之间;
在钝化层上形成像素电极;以及
在钝化层上形成屏蔽电极,其中屏蔽电极与像素电极同层布置并且位于数据线上方。
12.权利要求11的方法,还包括在像素电极上方形成像素金属电极,像素电极与像素金属电极之间存在绝缘层,并且像素电极与像素金属电极通过绝缘层中的过孔相连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





