[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置，包括筒形电极(10)，所述筒形电极(10)在一端设有开口部(11)，且内部被导入工艺气体。筒形电极(10)与施加高频电压的高频电源连接。等离子体处理装置包括旋转台(3)作为搬送部，旋转台(3)使工件(W)通过筒形电极(10)的开口部(11)的正下方。等离子体处理装置还包括磁性构件(17)，所述磁性构件(17)在开口部(11)的附近，形成包含与工件(W)的搬送方向大致平行的磁力线的磁场(B)。本发明能够减少等离子体的泄漏，且使蚀刻速率提高。

技术领域

本发明涉及一种等离子体(plasma)处理装置。

背景技术

在半导体装置或液晶显示器(display)或者光盘(disk)等各种制品的制造步骤中，有在例如晶片(wafer)或玻璃(glass)基板等工件(work)上形成光学膜等薄膜的情况。薄膜可以通过对工件重复进行形成金属等的膜的成膜、及对所形成的膜重复进行蚀刻(etching)、氧化或氮化等膜处理而制成。

成膜及膜处理可以利用各种方法而进行，作为其中之一，有使用等离子体的方法。成膜是在真空容器内配置包含要成膜的材料的靶材(target)。向真空容器内导入惰性气体，且对靶材施加直流电压使惰性气体等离子体化而生成离子，并使该离子碰撞靶材。从靶材击出的材料堆积在工件上，由此进行成膜。

膜处理是在真空容器内配置用于使等离子体产生的电极，且将已成膜的工件配置在电极的下方。向真空容器内导入工艺气体(process gas)，且对电极施加高频电压使工艺气体等离子体化而生成离子。在蚀刻的情况下，工艺气体使用氩气等惰性气体。在氧化处理的情况下，工艺气体使用氧气，在氮化处理的情况下，工艺气体使用氮气。通过使所生成的离子碰撞工件上的膜，而进行对膜进行蚀刻、或者生成氧化物或氮化物等膜处理。

存在如下的等离子体处理装置：在一个真空容器的内部配置旋转台(table)，且沿旋转台的上方的周向配置多个成膜用单元(unit)与膜处理用单元，以便能够连续进行这种成膜与膜处理(例如，参照专利文献1及专利文献2)。将工件保持于旋转台上进行搬送，且使其通过成膜单元与膜处理单元的正下方，由此形成光学膜等。

例如，如专利文献1及专利文献2般的将电极形成为上端封闭的筒状(以下，称为“筒形电极”)的膜处理单元中，将工艺气体导入至筒形电极的内部，由此，等离子体产生于筒形电极的内部。将筒形电极的开口部以与旋转台的面隔开狭小的间隙(clearance)而相向的方式配置，且构成为工件在狭小的间隙处通过开口部的下方。由此，能够一面减少等离子体的外部流出一面进行膜处理。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2002-256428号公报

[专利文献2]日本专利特公昭57-27183号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在膜处理单元中，为了使蚀刻速率或化合物生成速率提高，需要使对电极施加的电压增加，或者使导入的工艺气体的压力增加。然而，如果电压或气压增加，则有如下可能性：产生于筒形电极内部的等离子体向外部扩散，自偏压(self-bias voltage)反转，而使膜处理不成立。

本发明为了解决所述课题，目的在于抑制筒形电极的内部的放电向外部泄漏，使等离子体处理装置的处理稳定化且使处理速度提高。

[解决问题的技术手段]

为了达成所述目的，本发明的等离子体处理装置包括：筒形电极，在一端设有开口部，且内部被导入工艺气体；电源，对所述筒形电极施加电压；搬送部，对工件在所述开口部的正下方进行搬入及搬出；以及磁性构件，在所述开口部的附近，形成包含与所述工件的搬送方向平行的磁力线的磁场。

[发明的效果]