[发明专利]多晶太阳能电池背部钝化工艺有效

专利信息
申请号: 201510620928.4 申请日: 2015-09-25
公开(公告)号: CN105140348B 公开(公告)日: 2017-01-11
发明(设计)人: 刘进;董建明;张之栋;崔龙辉 申请(专利权)人: 山西潞安太阳能科技有限责任公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司14101 代理人: 李富元
地址: 046000 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 多晶 太阳能电池 背部 钝化 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及太阳能电池生产领域,具体是一种多晶太阳能电池背部钝化工艺。

背景技术

目前多晶酸制绒正常工艺没有使用添加剂,造成多晶制绒面的均匀性差,亮片、黑丝等问题,工艺过程不合理,降低硅片了反射率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:如何提高多晶制绒面的均匀性,减少亮片、黑丝等问题,提高硅片反射率,进而提高多晶太阳能电池的效率。

本发明所采用的技术方案是:多晶太阳能电池背部钝化工艺,顺序进行酸制绒、硼扩散、背部钝化、刻蚀、第一次去PSG、磷扩散、激光刻槽、第二次去PSG、正面钝化、丝网印刷,在酸制绒过程使用添加剂,添加剂中含:聚乙二醇10-20克/升,异丙醇20-50克/升,碳酸钠0-2克/升,氢氧化钠0-1克/升,柠檬酸钠0-1克/升,果糖钠0-1克/升,纤维素0-3克/升,亚硫酸钠10-20克/升,乳酸钠5-10克/升,木质素磺酸盐0-3克/升,余量为水,其中碳酸钠、氢氧化钠、柠檬酸钠、果糖钠浓度之和为1-3克/升,纤维素与木质素磺酸盐浓度之和为1-3克/升。硼扩散过程,N2流量20slm,激光刻槽中开槽宽度为1.9毫米,采用双线200kHz的激光频率,5m/s的传送速度,32A电流,进行激光刻槽,刻蚀需要手动装卸片,电池正面向下,开启水膜,HF酸浓度为7%,滚轮速度为1m/min,刻蚀深度1.0-1.2um。

本发明的有益效果是:通过本发明多晶电池片转换效率比常规工艺至少高出0.5%(保守估计);拉力、衰减性能符合要求;色差可控制。

具体实施方式

多晶太阳能电池背部钝化工艺,顺序进行酸制绒、硼扩散、背部钝化、刻蚀、第一次去PSG、磷扩散、激光刻槽、第二次去PSG、正面钝化、丝网印刷,在酸制绒过程使用添加剂,添加剂中含:聚乙二醇15克/升,异丙醇30克/升,1克/升,氢氧化钠1克/升,纤维素2克/升,亚硫酸钠11克/升,乳酸钠8克/升,木质素磺酸盐1克/升,余量为水。硼扩散过程,N2流量20slm,激光刻槽中开槽宽度为1.9毫米,采用双线200kHz的激光频率,5m/s的传送速度,32A电流,进行激光刻槽,刻蚀需要手动装卸片,电池正面向下,开启水膜,HF酸浓度为7%,滚轮速度为1m/min,刻蚀深度1.0-1.2um。

硼扩散均匀性实验

实验进一步对硼扩散配方中的工艺时间,气体流量,氮气流量及氧化时间进行不同的组合,测试硼扩散后的方阻均匀性。硼扩散配方列表如下:

表一

实验结果显示沉积时N2流量太大或者太小都会增大方阻;沉积时最佳N2流量是20slm;

制绒刻蚀深度实验

表二中,A组是常规多晶工艺,B组和D组工艺流程如下:酸制绒-硼扩散-刻蚀(聚晶设备)-背部钝化-第一次去PSG-磷扩散-激光刻槽(背面)-第二次去PSG-正面钝化-丝网印刷;C组工艺流程如下:酸制绒-硼扩散-背面钝化-刻蚀(聚晶设备)-第一次去PSG-磷扩散-背面激光刻槽-第二次去PSG-正面钝化-丝网印刷。B组用C-TEX设备,D组用Intex设备。

表二

实验结论:实验组比对比组最低高出0.62%,最高高出0.79%;C组比B、D组效率高出0.1%,背面镀膜后再进行聚晶刻蚀,饱和了B扩散层,本发明顺序的聚晶刻蚀最佳。

3.重复验证实验

为了对上次实验进行重复测试,设计了本次实验。ABC三组为XXS2硅片,DEF为XXS3硅片,A组和D组是常规多晶工艺,B组和E组工艺流程如下:酸制绒-硼扩散-刻蚀(聚晶设备)-背面钝化-第一次去PSG-磷扩散-激光刻槽(背面)-第二次去PSG-正面钝化-丝网印刷;C组和F组工艺流程如下:酸制绒-硼扩散-背面钝化-刻蚀(聚晶设备)-第一次去PSG-磷扩散-激光刻槽(背面)-第二次去PSG-正面钝化-丝网印刷。A、B、C组用C-TEX设备,D、E、F组用Intex设备。实验结果如下所示:

表3

实验结论:在刻蚀深度达到4.1μm时,效率仍然可以达到要求;高效工艺比普通工艺提高了0.64%,最高提升了0.8%;实验是可重复的,本发明顺序效果最佳。

具体实施过程,按照本发明工艺流程进行,沉积时间为15分钟,最高温度960℃,工艺时间1小时30分,装载方式为正背正,目前靠手动装卸。聚晶清洗(刻蚀)需要手动装卸片,电池正面向下,开启水膜,HF酸质量浓度为7%,滚轮速度为1m/min,刻蚀深度1.0-1.2um,半成品外观要求正面清洗干净,背面保留硼硅玻璃,装片时硅片反面插入载体正方向。背面钝化工艺时间为1900秒,卸载后需要将硅片方向从载体中翻转,随后进去PSG进行1min清洗。PSG回复清洗4min30s,进入PECVD常规多晶工艺进行镀膜。背激光采用双线200kHz的激光频率,5m/s的传送速度,32A,进行激光刻槽,烧结温度为885摄氏度。添加剂中含:聚乙二醇10-20克/升,异丙醇20-50克/升,碳酸钠0-2克/升,氢氧化钠0-1克/升,柠檬酸钠0-1克/升,果糖钠0-1克/升,纤维素0-3克/升,亚硫酸钠10-20克/升,乳酸钠5-10克/升,木质素磺酸盐0-3克/升,余量为水,其中碳酸钠、氢氧化钠、柠檬酸钠、果糖钠浓度之和为1-3克/升,纤维素与木质素磺酸盐浓度之和为1-3克/升。酸制绒过程使用添加剂可以提高多晶效率,本具体过程高效多晶效率可提升了1.5%以上,达到预期目的,组件封装损耗为0.5%左右,符合损耗要求。

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