[发明专利]多晶太阳能电池背部钝化工艺有效
| 申请号: | 201510620928.4 | 申请日: | 2015-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN105140348B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
| 发明(设计)人: | 刘进;董建明;张之栋;崔龙辉 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司14101 | 代理人: | 李富元 |
| 地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多晶 太阳能电池 背部 钝化 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池生产领域,具体是一种多晶太阳能电池背部钝化工艺。
背景技术
目前多晶酸制绒正常工艺没有使用添加剂,造成多晶制绒面的均匀性差,亮片、黑丝等问题,工艺过程不合理,降低硅片了反射率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:如何提高多晶制绒面的均匀性,减少亮片、黑丝等问题,提高硅片反射率,进而提高多晶太阳能电池的效率。
本发明所采用的技术方案是:多晶太阳能电池背部钝化工艺,顺序进行酸制绒、硼扩散、背部钝化、刻蚀、第一次去PSG、磷扩散、激光刻槽、第二次去PSG、正面钝化、丝网印刷,在酸制绒过程使用添加剂,添加剂中含:聚乙二醇10-20克/升,异丙醇20-50克/升,碳酸钠0-2克/升,氢氧化钠0-1克/升,柠檬酸钠0-1克/升,果糖钠0-1克/升,纤维素0-3克/升,亚硫酸钠10-20克/升,乳酸钠5-10克/升,木质素磺酸盐0-3克/升,余量为水,其中碳酸钠、氢氧化钠、柠檬酸钠、果糖钠浓度之和为1-3克/升,纤维素与木质素磺酸盐浓度之和为1-3克/升。硼扩散过程,N2流量20slm,激光刻槽中开槽宽度为1.9毫米,采用双线200kHz的激光频率,5m/s的传送速度,32A电流,进行激光刻槽,刻蚀需要手动装卸片,电池正面向下,开启水膜,HF酸浓度为7%,滚轮速度为1m/min,刻蚀深度1.0-1.2um。
本发明的有益效果是:通过本发明多晶电池片转换效率比常规工艺至少高出0.5%(保守估计);拉力、衰减性能符合要求;色差可控制。
具体实施方式
多晶太阳能电池背部钝化工艺,顺序进行酸制绒、硼扩散、背部钝化、刻蚀、第一次去PSG、磷扩散、激光刻槽、第二次去PSG、正面钝化、丝网印刷,在酸制绒过程使用添加剂,添加剂中含:聚乙二醇15克/升,异丙醇30克/升,1克/升,氢氧化钠1克/升,纤维素2克/升,亚硫酸钠11克/升,乳酸钠8克/升,木质素磺酸盐1克/升,余量为水。硼扩散过程,N2流量20slm,激光刻槽中开槽宽度为1.9毫米,采用双线200kHz的激光频率,5m/s的传送速度,32A电流,进行激光刻槽,刻蚀需要手动装卸片,电池正面向下,开启水膜,HF酸浓度为7%,滚轮速度为1m/min,刻蚀深度1.0-1.2um。
硼扩散均匀性实验
实验进一步对硼扩散配方中的工艺时间,气体流量,氮气流量及氧化时间进行不同的组合,测试硼扩散后的方阻均匀性。硼扩散配方列表如下:
表一
实验结果显示沉积时N2流量太大或者太小都会增大方阻;沉积时最佳N2流量是20slm;
制绒刻蚀深度实验
表二中,A组是常规多晶工艺,B组和D组工艺流程如下:酸制绒-硼扩散-刻蚀(聚晶设备)-背部钝化-第一次去PSG-磷扩散-激光刻槽(背面)-第二次去PSG-正面钝化-丝网印刷;C组工艺流程如下:酸制绒-硼扩散-背面钝化-刻蚀(聚晶设备)-第一次去PSG-磷扩散-背面激光刻槽-第二次去PSG-正面钝化-丝网印刷。B组用C-TEX设备,D组用Intex设备。
表二
实验结论:实验组比对比组最低高出0.62%,最高高出0.79%;C组比B、D组效率高出0.1%,背面镀膜后再进行聚晶刻蚀,饱和了B扩散层,本发明顺序的聚晶刻蚀最佳。
3.重复验证实验
为了对上次实验进行重复测试,设计了本次实验。ABC三组为XXS2硅片,DEF为XXS3硅片,A组和D组是常规多晶工艺,B组和E组工艺流程如下:酸制绒-硼扩散-刻蚀(聚晶设备)-背面钝化-第一次去PSG-磷扩散-激光刻槽(背面)-第二次去PSG-正面钝化-丝网印刷;C组和F组工艺流程如下:酸制绒-硼扩散-背面钝化-刻蚀(聚晶设备)-第一次去PSG-磷扩散-激光刻槽(背面)-第二次去PSG-正面钝化-丝网印刷。A、B、C组用C-TEX设备,D、E、F组用Intex设备。实验结果如下所示:
表3
实验结论:在刻蚀深度达到4.1μm时,效率仍然可以达到要求;高效工艺比普通工艺提高了0.64%,最高提升了0.8%;实验是可重复的,本发明顺序效果最佳。
具体实施过程,按照本发明工艺流程进行,沉积时间为15分钟,最高温度960℃,工艺时间1小时30分,装载方式为正背正,目前靠手动装卸。聚晶清洗(刻蚀)需要手动装卸片,电池正面向下,开启水膜,HF酸质量浓度为7%,滚轮速度为1m/min,刻蚀深度1.0-1.2um,半成品外观要求正面清洗干净,背面保留硼硅玻璃,装片时硅片反面插入载体正方向。背面钝化工艺时间为1900秒,卸载后需要将硅片方向从载体中翻转,随后进去PSG进行1min清洗。PSG回复清洗4min30s,进入PECVD常规多晶工艺进行镀膜。背激光采用双线200kHz的激光频率,5m/s的传送速度,32A,进行激光刻槽,烧结温度为885摄氏度。添加剂中含:聚乙二醇10-20克/升,异丙醇20-50克/升,碳酸钠0-2克/升,氢氧化钠0-1克/升,柠檬酸钠0-1克/升,果糖钠0-1克/升,纤维素0-3克/升,亚硫酸钠10-20克/升,乳酸钠5-10克/升,木质素磺酸盐0-3克/升,余量为水,其中碳酸钠、氢氧化钠、柠檬酸钠、果糖钠浓度之和为1-3克/升,纤维素与木质素磺酸盐浓度之和为1-3克/升。酸制绒过程使用添加剂可以提高多晶效率,本具体过程高效多晶效率可提升了1.5%以上,达到预期目的,组件封装损耗为0.5%左右,符合损耗要求。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西潞安太阳能科技有限责任公司,未经山西潞安太阳能科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510620928.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种夜间自动降低振铃音量的电话机
- 下一篇:用于移动终端的外壳和移动终端
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





