[发明专利]非挥发性存储器

权利要求书

1.一种非挥发性存储器，包括：

基底；

浮置栅极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管，设置于所述基底上且彼此串接，其中所述应力释放晶体管位于所述浮置栅极晶体管与所述选择晶体管之间，

所述浮置栅极晶体管包括：

浮置栅极，设置于所述基底上；

第一掺杂区与第二掺杂区，分别设置于所述浮置栅极两侧的所述基底中；以及

第一介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间，

所述选择晶体管包括：

选择栅极，设置于所述基底上；

第三掺杂区与第四掺杂区，分别设置于所述选择栅极两侧的所述基底中；以及

第二介电层，设置于所述选择栅极与所述基底之间，

所述应力释放晶体管包括：

应力释放栅极，设置于所述基底上；

所述第二掺杂区与所述第三掺杂区，其中所述第二掺杂区位于所述浮置栅极与所述应力释放栅极之间，且所述第三掺杂区位于所述选择栅极与所述应力释放栅极之间；以及

第三介电层，设置于所述应力释放栅极与所述基底之间；

至少一第一阱区，设置于所述基底中，其中所述第一掺杂区至第四掺杂区位于所述至少一第一阱区中；以及

第一电容器与第二电容器，其中所述第一电容器、所述第二电容器与所述浮置栅极晶体管分离设置且彼此耦接,

所述第一电容器包括：

所述浮置栅极；

至少一第五掺杂区，设置于所述浮置栅极两侧的所述基底中；以及

第四介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间，

所述第二电容器包括：

所述浮置栅极；

至少一第六掺杂区，设置于所述浮置栅极两侧的所述基底中；以及

第五介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间。

2.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其中所述浮置栅极晶体管、所述选择晶体管与所述应力释放晶体管通过共用掺杂区而进行串接。

3.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其中所述应力释放栅极下方的通道长度小于输入输出元件的设计规则的最小通道长度。

4.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其中所述第一介电层的厚度大于所述第二介电层的厚度。

5.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其中所述第三介电层的厚度大于所述第二介电层的厚度。

6.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其中所述第二掺杂区与所述第三掺杂区为浮置掺杂区。

7.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其中所述第一掺杂区至第四掺杂区为相同的导电型。

8.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其中所述第一掺杂区至第四掺杂区的导电型不同于所述至少一第一阱区的导电型。

9.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其中所述第一电容器、所述第二电容器与所述浮置栅极晶体管通过共用所述浮置栅极而进行耦接。

10.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其中所述第四介电层的厚度与所述第五介电层的厚度分别大于所述第二介电层的厚度。

11.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，还包括：

第二阱区，设置于所述基底中，其中所述至少一第五掺杂区位于所述第二阱区中；以及

第三阱区，设置于所述基底中，其中所述至少一第六掺杂区位于所述第三阱区中。

12.根据权利要求11所述的非挥发性存储器，其中当所述至少一第一阱区、所述第二阱区与所述第三阱区中的相邻两个同为第一导电型时，所述至少一第一阱区、所述第二阱区与所述第三阱区中的同为所述第一导电型的相邻两个彼此之间分离设置。