[发明专利]半导体集成电路、可变增益放大器以及传感系统

说明书

本发明涉及半导体集成电路、可变增益放大器以及传感系统。提供了这样一种半导体集成电路，其包括提供在以在外部的方式提供的阻性元件(R1)的一端侧上的焊盘(Pd1)，提供在阻性元件(R1)的另一端侧上的焊盘(Pd5)；运算放大器(A1)，布线于运算放大器(A1)的输出端和焊盘(Pd1)之间的信号线(L11)，布线于运算放大器(A1)的反相输入端和焊盘(Pd5)之间的信号线(L21)，ESD保护元件(r11)提供至信号线(L11)，以及信号线(L31)，通过其传输焊盘(Pd1)的电压信号。信号线(L31)连接至焊盘(Pd1)。

相关申请交叉引用

本申请基于2014年10月1日提交的日本专利申请No.2014-203309并要求其优先权，通过引用将其公开内容并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路，可变增益放大器以及传感系统。例如，本发明涉及一种适于构造高精度可变增益放大器的半导体集成电路，可变增益放大器以及传感系统。

背景技术

近年来，已经需求高精度可变增益放大器。相关技术公开于日本未审专利申请公布No.2003-8375中。

日本未审专利申请公布No.2003-8375中公开的可变增益放大器被设置有：用于产生并输出对应于输入信号电压的输出电流的gm单元；以及，用于将gm单元的输出电流转换成电压、并包括用于调整转换增益的调整装置的电流电压转换电路。电流电压转换电路包括运算放大器以及连接在运算放大器的输入端和输出端之间并能设定任意电阻值的可变电阻器。

发明内容

在日本未审专利申请公布No.2003-8375中公开的可变增益放大器中，其考虑是在半导体芯片中提供构成可变电阻器的多个阻性元件。因此，由于这些阻性元件的制造中的不均衡度，因此会降低可变增益放大器的精度。

如果构成可变电阻器的多个阻性元件提供在半导体芯片外部，且半导体芯片中的阻性元件和运算放大器通过半导体芯片的焊盘连接，则会出现可变增益放大器的精度由于提供至焊盘的ESD保护元件的阻性分量的影响而降低的问题。

本说明以及附图的说明会揭示其他问题和新颖特征。

根据本发明的一个方面，提供一种半导体集成电路，其包括：提供在以在外部的方式提供的第一阻性元件的一端侧上的第一焊盘，提供在第一阻性元件的另一端侧上的第二焊盘，运算放大器，在运算放大器的输出端和第一焊盘之间布线的第一信号线，在运算放大器的一个输入端和第二焊盘之间布线的第二信号线，提供至第一信号线的第一ESD保护元件，以及第三信号线，第一焊盘的电压信号通过第三信号线传输。第三信号线连接至第一焊盘。

根据本发明的该方面，能提供一种能形成高精度可变增益放大器的半导体集成电路，可变增益放大器以及传感系统。

附图说明

结合附图的某些实施例的下述说明将使上述和其他方面，优点以及特征更加显而易见，其中：

图1是示出其上安装了根据第一实施例的可变增益放大器的传感系统的框图；

图2是示出根据第一实施例的可变增益放大器的结构实例的示意图；

图3是示出根据第一实施例的可变增益放大器的一个变型例的示意图；

图4是示出根据第二实施例的可变增益放大器的结构实例的示意图；

图5是示出根据第二实施例的可变增益放大器的一个变型例的示意图；

图6是示出根据第三实施例的半导体集成电路的结构实例的示意图；

图7是示出应用根据第三实施例的半导体集成电路的可变增益放大器的结构实例的示意图；