[发明专利]COA基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种COA基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着平板显示器件薄膜工艺(thinfilmtransistor)技术和工艺的进步，液晶面板日益向高分辨高画质方面发展。其中，滤光层(包括彩色滤光片和黑矩阵)位于阵列基板的结构(COA；ColorfilteronArray)，即COA基板，由于没有对盒产生漏光的问题，可以有效减少黑矩阵宽度，从而提高了像素开口率，进而提高面板透过率。技术与主要靠液晶分子面内旋转的超级多维场开关液晶显示技术相结合，可以有效防止倾斜方向漏光，避免混色现象发生；因此该技术成为高分辨率产品中有竞争力的技术之一。

但是发明人发现现有技术存在以下问题，由于黑矩阵采用黑色树脂材料制备的，再制备黑矩阵的时，沉积完黑色树脂材料掩模板上的对位标记无法精确的与COA基板上的对位标记进行对位，导致黑矩阵图形的对位工艺难度较大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的COA基板存在的上述问题，提供一种对位精度准提高、工艺难度降低的COA基板及其制备方法、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种COA基板的制备方法，包括在基底上方形成黑矩阵的步骤，所述形成黑矩阵的步骤包括：

在基底上方的形成透明材料层，并对所述透明材料层进行图案化；

对图案化的透明材料层进行炭化处理，形成黑矩阵。

优选的是，所述透明材料层的材料为光刻胶。

优选的是，所述炭化处理的方式为真空退火；其中，退火温度为150～300摄氏度，时间为10～45分钟。

优选的是，所述炭化处理的方式为离子轰击。

优选的是，所述形成黑矩阵的步骤之前还包括：

在基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管、栅线、数据线的图形；

在完成上述步骤的基底上形成阻挡层。

优选的是，所述形成黑矩阵的步骤之后还包括：

通过构图工艺形成彩色滤光片的步骤。

进一步优选的是，所述形成彩色滤光片的步骤之后还包括：

形成平坦化层的步骤；

在形成平坦化层的基底上，通过构图工艺形成像素电极的步骤。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种COA基板，包括基底，设置在基底上的黑矩阵，所述COA基板是采用上述的制备方法制备的。

优选的是，所述透明材料层的材料为光刻胶。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，其包括上述COA基板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的显示面板。

本发明具有如下有益效果：

在本发明中黑矩阵的图案是采用透明材料层图案化后进行炭化得到的，而透明材料层由于其材料的特性，其可以透光，此时基底上的对位标记则可以看到，因此掩模板在对透明材料层曝光时，则可以与透明材料层精准对位，也就是无需将黑矩阵的图形做大，因此可以提高COA基板的开口率。

附图说明

图1为本发明的实施例2的COA基板的制备方法的工艺流程图；

图2为本发明的实施例2的COA基板的制备方法的流程图；

图3为本发明的实施例2的COA基板的制备方法中形成黑矩阵的流程图；

图4为本发明的实施例3的COA基板的示意图。

其中附图标记为：10、基底；1、薄膜晶体管；11、栅线；12、数据线；30、光刻胶；31、图案化的光刻胶；32、黑矩阵；131、红色滤光片；132、绿色滤光片；133、蓝色滤光片；14、平坦化层；15、像素电极。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1：

本实施例提供一种COA基板的制备方法，包括在基底上方形成黑矩阵的步骤。形成黑矩阵的步骤具体包括：

在基底上方的形成透明材料层，并对所述透明材料层进行图案化。

对图案化的透明材料层进行炭化处理，形成黑矩阵。

在本实施例中，黑矩阵的图案是采用透明材料层图案化后进行炭化得到的，而透明材料层由于其材料的特性，其可以透光，此时基底上的对位标记则可以看到，因此掩模板在对透明材料层曝光时，则可以与透明材料层精准对位，也就是无需将黑矩阵的图形做大，因此可以提高COA基板的开口率。